全球快閃記憶體廠商SanDisk(宣佈推出採用全球最先進、19奈米記憶體製程技術之 64GB x2 (2-bits-per-cell)記憶體晶片。這項最新的技術將有助SanDisk日後針對手機、平板電腦與其他裝置，推出兼具高容量與小尺寸的嵌入式可抽取儲存裝置。
SanDisk計畫在本季將此19奈米64GB X2晶片送樣，並自2011年下半年開始量產。屆時，SanDisk也會將推出19奈米X3 (3-bits-per-cell)晶片。
SanDisk執行副總裁暨技術長Yoram Cedar表示：「我們很高興在和東芝(Toshiba)的持續合作下，領先業界推出這款採用19奈米製程技術，且尺寸最小、成本最低的NAND flash晶片。此成果主要針對日後更創新的應用、尺寸和消費者使用經驗所設計，預計也將持續推升快閃記憶體的產業發展至更高的境界。」
此項先進的19奈米裝置採用當今最精密的快閃記憶體製造技術，不僅在製程方面更為先進，也在元件設計上有所突破。SanDisk擁有專利All-Bit-Line (ABL) 架構，和多層資料儲存管理方案，有助於生產多層電路元(Multi-level Cell, MLC) NAND flash晶片，而無需擔心其效能或穩定度。
快閃記憶卡巨擘SanDisk Corporation 20日發布新聞稿宣布推出全球最先進、採用19奈米製程技術的64Gb 2bps (X2)NAND型快閃記憶體(NAND Flash)。SanDisk將可藉由這項技術生產高容量、小尺寸的內嵌可抽取式儲存裝置，以便應用於手機、平板電腦等裝置。
根據新聞稿，這款19奈米64Gb X2裝置為全球體積最小、成本最低的NAND Flash，是與合作夥伴東芝(Toshiba)共同開發出的最新產品。上述產品預定可在本季開始送樣，並於2011年下半年進入高度量產的階段，屆時SanDisk還將新增一款3bps (X3)的19奈米裝置。
英特爾(Intel Corporation)、美光(Micron Technology Inc.)甫於4月14日發布新聞稿宣布推出最新採用業界最小、最先進20奈米製程技術的8GB MLC NAND型快閃記憶體(NAND Flash)，佔主機板的面積較英特爾、美光現有的25奈米8GB NAND Flash少了30-40%，可讓平板電腦與智慧型手機製造商將多餘的空間用於體積較大的電池、螢幕或新增的晶片。
三星電子公司(Samsung Electronics Co., Ltd.)已在2010年4月19日宣布領先業界生產用於SD記憶卡、嵌入式記憶體解決方案的20奈米製程NAND Flash，並於2010年稍後開始生產。全球第2大記憶體製造商Hynix Semiconductor也在2010年8月利用位於南韓中部的忠清北道清州的工廠開始量產採用20奈米世代製程的NAND Flash。
根據新聞稿，這款19奈米64Gb X2裝置為全球體積最小、成本最低的NAND Flash，是與合作夥伴東芝(Toshiba)共同開發出的最新產品。上述產品預定可在本季開始送樣，並於2011年下半年進入高度量產的階段，屆時SanDisk還將新增一款3bps (X3)的19奈米裝置。
英特爾(Intel Corporation)、美光(Micron Technology Inc.)甫於4月14日發布新聞稿宣布推出最新採用業界最小、最先進20奈米製程技術的8GB MLC NAND型快閃記憶體(NAND Flash)，佔主機板的面積較英特爾、美光現有的25奈米8GB NAND Flash少了30-40%，可讓平板電腦與智慧型手機製造商將多餘的空間用於體積較大的電池、螢幕或新增的晶片。
三星電子公司(Samsung Electronics Co., Ltd.)已在2010年4月19日宣布領先業界生產用於SD記憶卡、嵌入式記憶體解決方案的20奈米製程NAND Flash，並於2010年稍後開始生產。全球第2大記憶體製造商Hynix Semiconductor也在2010年8月利用位於南韓中部的忠清北道清州的工廠開始量產採用20奈米世代製程的NAND Flash。
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