Microsemi發表完整的太陽能技術產品解決方案
美商美高森美公司(Microsemi Corporation)發佈完整的太陽能技術產品組合。再生能源應用產品包括 SmartFusion 和 IGLOO FPGA ；旁路二極體/開關、 MOSFET 、 FRED 和 IGBT 等類比、混合訊號元件； DC-DC 轉換器、以及脈衝寬度調變(PWM)模組。此完備的產品組合可實現電源採集(power harvesting)、電源管理、電源交換以及電源監測等各類太陽光電(PV)應用的高效、可靠和具成本效益建置。
電源採集用的太陽能旁路二極體 LX2400 IDEAL 具備Microsemi專利 CoolRUN 技術，可作為 PV 模組應用中的旁路路徑。具有最低的順向電壓降，因此運作期間的熱量產生和溫度升高可小至忽略不計。 LX2400 具同類最佳的可靠度和強韌性，可透過太陽能模組的接線盒(junction box)，用於需要10安培電流或以上的應用。
新款蕭特基 PV 旁路二極體的高度僅0.74 mm，便於客戶整合在玻璃之下，無需使用接線盒。此外，超薄尺寸還能用來縮小接線盒的大小。10安培的S FDS 系列二極體專為太陽能板設計，採用獨特撓性銅導線封裝，可提供通過衛星驗證的可靠性。此外，美高森美亦可提供軸向、表面安裝和穿孔元件等各種蕭特基旁路二極體。標準電流範圍為10A至18A，電壓範圍為從20V至45V，但利用此元件設計並建置出最高為60A和200V的自訂元件亦是有可能的。
電源管理和控制用的 SmartFusion 混合訊號FPGA與 IGLOO 低功率 FPGA採用快閃製程架構，可協助變頻器設計人員在較小佔用面積中最大化效率與整合板級功能。數量日益增加的PWM狀態機、最大功率點追蹤(MPPT)和功率因子校正(PFC)等功能和演算法能在嵌入式32位元ARM Cortex-M3處理器或邏輯閘中分開設計，以符合個別設計人員的需求。
新款600V CoolMOS C6元件採用第五代高壓超接面(super junction)技術，具超低傳導和交換損失，可讓交換系統設計達到新的效率和電源密度等級。新款MOS 8 IGBT採低頻作業(10 KHz - 30 KHz)最佳化設計，適用於傳導損失大於整體系統損失的情況。MOS 8 PT IGBT產品組合在2.0 V (600 VBR(CES))和2.5 V (900 VBR(CES))可提供低傳導損失。
除了其他的功率半導體元件，美高森美亦能以廣泛的電源模組電氣和機械配置提供IGBT、MOSFET和FRED，有助於建置新款和更高效的轉換器拓樸，諸如三階變頻器、交錯式PFC升壓轉換器、和矩陣轉換器。此外，DC-到-DC系列產品最高可支援40 V輸入電壓，以及最高為40安培的大範圍電流輸出。此系列產品包括切換式電壓調整器，具內建功率FET以及採用外部功率FET的控制器，作業頻率最高為2 MHz。
電源監測用 SmartFusion 智慧型混合訊號FPGA在單一IC平台中整合了一個類比前端、嵌入式ARM Cortex-M3 處理器、以及可程式邏輯架構。此靈活性可為設計人員帶來開發低功率、可適應式平台的能力，以正確執行即時負載數據監測，並處理各種的安全連接協定。
美商美高森美公司(Microsemi Corporation)發佈完整的太陽能技術產品組合。再生能源應用產品包括 SmartFusion 和 IGLOO FPGA ；旁路二極體/開關、 MOSFET 、 FRED 和 IGBT 等類比、混合訊號元件； DC-DC 轉換器、以及脈衝寬度調變(PWM)模組。此完備的產品組合可實現電源採集(power harvesting)、電源管理、電源交換以及電源監測等各類太陽光電(PV)應用的高效、可靠和具成本效益建置。
電源採集用的太陽能旁路二極體 LX2400 IDEAL 具備Microsemi專利 CoolRUN 技術，可作為 PV 模組應用中的旁路路徑。具有最低的順向電壓降，因此運作期間的熱量產生和溫度升高可小至忽略不計。 LX2400 具同類最佳的可靠度和強韌性，可透過太陽能模組的接線盒(junction box)，用於需要10安培電流或以上的應用。
新款蕭特基 PV 旁路二極體的高度僅0.74 mm，便於客戶整合在玻璃之下，無需使用接線盒。此外，超薄尺寸還能用來縮小接線盒的大小。10安培的S FDS 系列二極體專為太陽能板設計，採用獨特撓性銅導線封裝，可提供通過衛星驗證的可靠性。此外，美高森美亦可提供軸向、表面安裝和穿孔元件等各種蕭特基旁路二極體。標準電流範圍為10A至18A，電壓範圍為從20V至45V，但利用此元件設計並建置出最高為60A和200V的自訂元件亦是有可能的。
電源管理和控制用的 SmartFusion 混合訊號FPGA與 IGLOO 低功率 FPGA採用快閃製程架構，可協助變頻器設計人員在較小佔用面積中最大化效率與整合板級功能。數量日益增加的PWM狀態機、最大功率點追蹤(MPPT)和功率因子校正(PFC)等功能和演算法能在嵌入式32位元ARM Cortex-M3處理器或邏輯閘中分開設計，以符合個別設計人員的需求。
新款600V CoolMOS C6元件採用第五代高壓超接面(super junction)技術，具超低傳導和交換損失，可讓交換系統設計達到新的效率和電源密度等級。新款MOS 8 IGBT採低頻作業(10 KHz - 30 KHz)最佳化設計，適用於傳導損失大於整體系統損失的情況。MOS 8 PT IGBT產品組合在2.0 V (600 VBR(CES))和2.5 V (900 VBR(CES))可提供低傳導損失。
除了其他的功率半導體元件，美高森美亦能以廣泛的電源模組電氣和機械配置提供IGBT、MOSFET和FRED，有助於建置新款和更高效的轉換器拓樸，諸如三階變頻器、交錯式PFC升壓轉換器、和矩陣轉換器。此外，DC-到-DC系列產品最高可支援40 V輸入電壓，以及最高為40安培的大範圍電流輸出。此系列產品包括切換式電壓調整器，具內建功率FET以及採用外部功率FET的控制器，作業頻率最高為2 MHz。
電源監測用 SmartFusion 智慧型混合訊號FPGA在單一IC平台中整合了一個類比前端、嵌入式ARM Cortex-M3 處理器、以及可程式邏輯架構。此靈活性可為設計人員帶來開發低功率、可適應式平台的能力，以正確執行即時負載數據監測，並處理各種的安全連接協定。
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