全球第2 大NAND 型快閃存儲器（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）將在2017 年度採用被稱為「納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）」的新技術，生產使用於智慧手機等產品的NAND Flash，藉此可讓曝光工程（形成迴路的工程）成本壓低至採用現行技術的三分之一水準，就整體製造工程來看，預估成本有望刪減約1 成。
報導指出，東芝正和大日本印刷（DNP）、Canon 持續研發NIL 技術，以期望藉由提高成本競爭力，對抗南韓三星電子。
據報導，東芝計劃今後3 年內對半導體事業砸下8,600 億日圓進行投資，其中部分資金將用來整備採用NIL 技術的NAND Flash 產線，且計劃於2017 年度開始進行生產，之後併計劃利用預計於2018 年度啟用的新廠房進行量產。
因現行技術已難以進一步提高半導體性能，故包含東芝在內的全球半導體大廠正積極進行次世代技術的研發，而除了上述的NIL 之外，荷蘭設備廠ASML 在獲得美國英特爾（Intel）、南韓三星的支援下，正進行「極紫外光（EUV）曝光」技術的研發。
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