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韓國三星電子2016年4月5日宣布，開始量產採用10nm級工藝製造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。

此次發布的DDR4型DRAM芯片採用10nm級（1x）工藝製造。三星面向此次的芯片，新開發了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光（Quadruple Patterning Technology）技術、採用極薄絕緣膜形成技術製作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用於下一代10nm（1y）工藝的開發。

新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度，較現有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30％，而耗電量削減了10～20％。三星預定在不久的將來開發採用此次的10nm級工藝的移動DRAM。

該公司還將採用以此次的8Gbit產品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產存儲器模塊（內存條）。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊，面向企業服務器推出128GB的模塊。之前採用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內存將在2016年內陸續換成10nm級產品。 （特約撰稿人：大原雄介）