2016年才開始不久，就有許多有關全空乏絕緣上覆矽製程(FD-SOI)的最新消息陸續傳出。包含三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries、恩智浦／飛思卡爾(NXP/Freescale)、瑞薩(Renesas)等廠商都將繼續投入FD-SOI的發展，FD-SOI前景一片看好。
Advanced Substrate News報導指出，三星的28納米FD-SOI製程已於2015年通過測試，並獲得來自網路、資安、遊戲、機上盒、汽車應用、CMOS影像感測器(CIS)業者的12件設計定案。
三星28納米FD-SOI製程預計在2016年第1季投入商業生產，並會擴展至物聯網、穿戴式裝置、微控制器(MCU)，與可編程裝置的應用。整合RF技術的28納米FD-SOI製程設計套件(PDK)，則會於2016年第2季問世。
GlobalFoundries的22納米FD-SOI製程，擁有近似FinFET的性能與能源效率，並已獲得超過40家客戶廠商青睞，預計在2017年達到高產量生產。GlobalFoundries同時也是RF-SOI發展的要角，並相信SOI製程將可成為推動5G系統發展的重要力量。
瑞薩將於2016年投入65納米FD-SOI製程的大量生產，發展其所謂的薄盒上覆矽(Silicon-on-Thin-Box；SOTB)物聯網產品市場。瑞薩宣稱這項新的製程技術，將可使功耗減少到原本的10分之1。
透過專利Smart Cut生產技術，Soitech製程達到了高度的一致性與極薄的厚度。新的度量技術使Soitech預測能力提升，也更能掌握裝置變異性。目前Soitech 28納米FD-SOI製程的一致性可維持在1個原子層內的誤差。
意法半導體(STMicroelectronics)的H9SOI_FEM製程是閘寬0.13μm的RF-SOI技術，能有助解決智能型手機前端模組(FEM)設計所衍生的挑戰。意法半導體在經過組織重整後，仍將全力持續投入FD-SOI發展。意法半導體退出了機上盒與家用閘道器市場，並預計調動600位工程師的職務，目的就在把重心放在物聯網應用發展，FD-SOI製程對意法半導體的重要性也不言而喻。
恩智浦與飛思卡爾攜手合作，其FD-SOI製程也可望獲得進一步的發展。恩智浦／飛思卡爾微控制器部門總經理Goeff Lees指出，28納米FD-SOI製程不論在能源效率、成本、類比支援、資安、溫度及漏電流控制上都具有很大的優勢，因此看好28納米FD-SOI製程在物聯網與微控制器部門的發展，並認為微控制器業者將逐漸朝FD-SOI製程靠攏。
全站熱搜
留言列表
生技醫療產業 (1)