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記憶體市場需求不振，DRAM與NAND Flash供給過剩的疑慮頻起，平均售價隨之下跌，也讓收益性亮起紅燈。

記憶體強者三星電子(Samsung Electronics)表示，將以20奈米(nm)製程架構DRAM與垂直架構的V-NAND等先進技術，以及高附加價值產品突破現況。

據韓媒inews24報導，三星正致力提高20nm微細製程DRAM，還有以3D垂直方式堆疊的V-NAND供應量。

主因為三星是全球半導體業者中，唯一成功量產的業者，以其擁有的先進技術擴大供貨，將可快速提升收益。

業界人士表示，最近記憶體市場需求不振，DRAM與NAND Flash平均售價也下跌，但是三星集中力量增加20nm DRAM與V-NAND產品群的供應量，反而拉高獲利。預估DRAM的位元成長(Bit Growth)率在25%以上，NAND Flash在36~40%之間。

據半導體市調機構的調查，2015年第2季DRAM市場整體平均價格跌幅超過10%，反觀三星電子毛利率高達48%，與2014年下半維持相近水準。同期市佔率更比前季成長2%，達到45.1%。

NH投資證券研究員樂觀預測，2015年第3季三星半導體部門營業利益將上看3.6兆韓元(約30.1億美元)。由於轉換20nm製程強化了成本競爭力，半導體部門營業利益逆勢成長，第2季為3.4兆韓元，第3季可望提高到3.6兆韓元。

預期三星半導體部門在記憶體部分會朝向收益性極大化；系統半導體方面則致力自行設計應用處理器(AP)，以強化競爭力。

此外，三星最近在三星SSD全球高峰會上，展出第三代48層V-NAND個人消費級SSD，以及NVMe標準的企業用SSD，產品群由原本的5項擴大到10項(共計39款)，容量也從2TB大幅擴充到6.4TB，瞄準攻略高階SSD市場。

三星計劃透過強力行銷，在2015年底前銷售1,300萬顆自家品牌SSD。業界人士表示，該產品在價格與性能上都比競爭業者更具優勢，供應量可望持續向上攀升。三星自2013年起連續2年稱霸全球個人消費用SSD市場，2015年第2季市佔率約為43.8%。

DIGITIMES中文網 原文網址: 三星推第三代48層V-NAND　品牌策略瞄準高階市場 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=1&cat=40&cat1=30&id=0000445054_2LBL4Z466KU3RC316TOX3&ct=1&wpidx=10#ixzz3nMlaDKTT