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英特爾(Intel)與美光(Micron)日前發表速度比NAND Flash快1,000倍的3D XPoint記憶體技術，並宣布將在2016年中開始量產，在記憶體半導體業界投下震撼彈。

據韓國經濟報導，英特爾與美光稱3D XPoint技術為記憶體技術的大突破，是自1989年NAND Flash推出後，25年來的第一個全新記憶體類別。美光總裁Mark Adams表示，這項技術將在NAND Flash與DRAM合計785億美元規模的記憶體晶片市場，引發破壞性的革命。

3D XPoint記憶體晶片與NAND Flash同屬於非揮發性記憶體，意即在裝置電源關閉的情況下，仍能保存記憶內容。但3D XPoint速度比NAND Flash快1,000倍，壽命也比NAND Flash更持久。

英特爾與美光經過10年研發，終於透過特殊材料找出解決方案。應用3D XPoint技術的記憶體晶片，可在龐大數據中找出固定模式，能應用在語音辨識、探測金融詐欺模式，以及遺傳基因研究等領域。

據市調機構IDC調查，2013年全球產出的資料量為4ZB，而預估到了2020年將成長10倍以上達44ZB。英特爾研究員Charles Brown在進行技術簡介時表示，資料用量與日俱增，市場也愈來愈渴求超越DRAM與NAND的新記憶體半導體能夠問世。

另一方面，全球記憶體半導體市場前兩大業者三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)也正在開發電阻式記憶體(Resistive Random-Access Memory；RRAM)等類似的非揮發性記憶體，據了解目前還沒達到能便宜量產的階段，加入下一代半導體市場戰局的時機恐怕要等到2018年以後，也因此對於新技術的公開更加緊張。

目前美光雖然在記憶體半導體市場上排名第三，卻可能靠著新材料技術的開發在短期內逆轉局勢。業界人士表示，因為美光並非單打獨鬥，而是與世界第一大系統半導體業者組成聯軍，也讓其他業者的壓力更為沉重。

若三星與SK海力士來不及推出足以匹敵的新技術，未來市場主導權就會落在對方手上，就看英特爾與美光能夠多快讓下一代半導體普及市場？產品單價又能夠壓到多低？

英特爾有關人士特別強調，3D XPoint技術已經完成量產準備，而非剛開始研發而已。2015年將提供樣品給客戶企業，2016年就會在美國猶他工廠開始量產。南韓業界人士表示，若真的從2016年開始量產並供應產品，勢必會對南韓業者產生一定程度的打擊。