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目前業者正在並行開發幾種分別基於【液浸式光刻技術】和【EUV光刻技術的垂直型晶體管結構NAND閃存技術】

在最近舉辦的閃存技術高峰會議上，Sandisk公司的技術高管Yoram Cedar對閃存市場的未來展望作了並不樂觀的判斷，他還表示，有下一代光刻技術之稱的EUVL極紫外光刻技術遲遲未能投入實用，恐怕會影響到NAND閃存供貨量的增長速度和製造成本下降的速度，使其低於歷史水平。 


他還表示，現有的液浸式光刻機將會繼續服役到10nm或更高級別的節點製程。另外一方面，各大廠商還在積極發展基於垂直型晶體管結構的NAND閃存技術，這種新產品也將採用液浸式光刻機進行製造，但是這種產品的存儲密度更高，因此可以改善供貨量增長速度過慢的狀況。 


上文所說的垂直型晶體管結構NAND中起存儲作用的仍是傳統的MOS結構，而NAND閃存技術發展的下一步則是向垂直型晶體管結構中引入電阻可變型下一代存儲技術，這樣便可以將儲存芯片的位密度進一步增加。但他表示這種基於電阻可變型技術的存儲芯片必須使用EUV光刻機才能進行批量製造。 


Cedar拒絕就E​​UV光刻技術投入實用的可能時間點，以及垂直型晶體管結構存儲芯片目前的發展狀態進行評論。不過他表示閃存業者會使用液浸式光刻機製造位密度在64-128Gbit的閃存芯片產品。 


Cedar在回答聽眾提問時表示：“許多業內人士都對EUV技術非常關注，他們關注的焦點不僅僅是EUV何時能夠投入量產實用，而且還包括EUV光刻機的價格成本問題，EUV光刻機的售價通常可達數百萬美元水平。”（按照此前的有關報導，今年1月份已上市的部分試量產型EUV光刻機的售價水平有可能達到1.2億美元。）不過Cedar則對EUV光刻機價格進一步下降持樂觀態度，他還提醒人們注意稱，以往人們曾數度對摩爾定律失去信心，認為其已經壽終正寢，但實際情況證明事實並非如此。 


他說：”90nm節點時，我們都曾自以56nm節點恐怕就是製程節點縮減的極限了。“ 


但Cedar帶來的也並非全是悲觀的消息。好消息是閃存市場的需求目前正處在進一步拓展的強勢階段，預計2015年閃存市場的增長幅度有望達到25%，相比之下磁盤式存儲設備的市場需求增長速度則僅不到其一半， DRAM內存芯片的增長幅度則預計僅1%左右。 


Cedar認為，到2015年前，有三分之一的NAND閃存芯片產品將被用於製造智能手機，而屆時智能手機的銷量則會達到11億部，而15%的NAND閃存芯片則會被用於製造平板電腦產品，其2015年預計的銷量約在3.27億部。另外25%的NAND閃存則會被固態硬盤所用，後者在個人用戶市場的銷量有望達到1.33億塊，在服務器市場則有望達到1200萬塊。其餘約26%的NAND閃存則會被MP3，USB閃盤，數碼相機等產品瓜分。