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英特爾(Intel) 半導體龍頭地位搖搖欲墜，與三星電子差距日益縮小，英特爾似乎下決心要扳倒後進，據稱打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，減少對DRAM的依賴，讓DRAM記憶體大廠三星和SK 海力士狂冒冷汗。

韓媒BusinessKorea 1日報導，當前DRAM市場由三星和SK海力士稱霸，據傳英特爾想削弱對手，第六代Skylake CPU配備eDRAM，提高圖形運算效能。eDRAM和DRAM不同之處在於，eDRAM內建在CPU die內，DRAM則和CPU各自獨立。業界分析師稱，英特爾先前的Haswell和Broadwell晶片已內建eDRAM，原本是實驗性質，如今已成為核心策略。日本和美國的半導體雜誌也說，中長期而言，英特爾或許會整合CPU和DRAM，發展eDRAM。

報導稱，英特爾作法仿效蘋果，蘋果A系列處理器效能極為穩定，數據和圖形處理速度都快過Android機種。A系列晶片DRAM小於Android機，卻因採用高效能SRAM和CPU有突出表現。和SRAM相比，eDRAM的優勢在生產成本較低，容量較大。與此同時，英特爾的3D XPoint技術也可能重創DRAM，美國業者獨霸個人電腦和伺服器CPU，可能會藉此推展新技術，如果3D XPoint用於伺服器、電腦、行動裝置，未來可能成為業界主流，逼走DRAM。

BusinessKorea 8月7日報導，英特爾、美光7月29日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比​​DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子、SK海力士大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後，3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。