芬蘭VTT技術研究中心(Finish VTT Technical Research Centre)開發出能直接印刷在紙上的記憶體電路，採用簡易的捲軸式印刷技術，以市面上的混合金屬油墨製作而成；研究人員認為這種廉價的紙記憶體能應用在感測器資料紀錄、獨創性產品標誌、遊戲紙牌、互動包裝以及產品資訊標示卡等等。
上述的單次寫入、多次讀取(write-once-read-many，WORM)記憶體能利用包裝產業常見的軟板(flexographic)或噴墨印刷技術，直接製作在產品或包裝上；根據研究人員的實驗，每個可寫記憶體位元尺寸約0.2x0.3mm，內含兩種市面上的銀奈米粒子油墨混合，以一般的捲軸(R2R)印刷製程印出實際位元以及關聯的寫入/讀取電極，然後乾燥。
在寫入之前，每個位元是在高電阻的1狀態；寫入一個位元是以在位元施加一道低電壓(10V以下)來達成；那實際上是燒結(sinter)相鄰的銀奈米粒子，並產生最小電阻的路徑，因此將記憶體位元由高電阻的0狀態轉至低電阻的1狀態。該燒結步驟是不可逆的，意味著記憶體內的資料只能寫入一次，但讀取次數則是無限制。
26位元(1mm間距)的印刷式WORM 記憶體區塊，具備接觸式電極以及公用電極，位元尺寸約0.2x0.3mm；該種記憶體採用捲軸式製程生產
VTT實驗室能在厚度125um的耐熱PET基板上印出一卷長度為150公尺，內含1萬個印刷式WORM記憶體區塊(memory bank)；而在先前的實驗中，研究人員也證實了印刷於紙上的記憶體位元燒結能力。每個記憶體區塊內含在R2R生產線上自動模切(die-cut)的線性位元陣列，每個位元因此能藉由量測橫跨的電阻來順序讀取。
更大的記憶體則需要以2D位元陣列結構來限制電氣觸點的數量，負責印刷與混合功能元件、印刷記憶體與電子元件開發的VTT首席科學家Ari Alastalo表示，會需要佈置與每個位元串聯的二極體，或是利用更精細的讀出電子元件來消除位元之間的串擾(cross talk)。
Alastalo解釋，事實上WORM不會限制讀取電壓，而是藉由讀出電子元件；WORM只是被量測的電阻，其位元尺寸可以非常小，能以RFID或NFC讀取器所轉換的能源來讀取。這種電阻式WORM記憶體的一個有趣功能，是也能以非接觸形式讀取，不需要實際接觸位元來量測電阻，位元電阻能以掃瞄式讀取器透過電容式近場量測來讀取。
VTT實驗室正在進一步在不同的應用領域測試並證實該記憶體技術，同時也正在尋求合作夥伴將此專利製程技術推向商業化。
編譯：Judith Cheng
(參考原文： Paper Memory Ready to Roll，by Julien Happich)
資料來源:電子工程專輯
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