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Hynix正在和AMD聯合研發高帶寬的內存HBM，它採用堆疊DRAM設計，採用和處理器相同的封包。目前也已經有JEDEC標準管理接口。現在，Hynix官方公佈了這種內存的前瞻性演示幻燈片。

根據幻燈片，Hynix第一代垂直堆疊內存採用4個DRAM芯片堆疊在一個基礎層之上，採用名為“穿透矽通孔”的垂直通道相連，有256個這樣的通道，每一通道帶寬達到1Gbps，總帶寬達到了驚人的128GB/秒。目前，GeForce GTX750 Ti顯存界面帶寬僅有86GB/s。

Hynix目前採用256MB分層堆疊，形成1GB堆棧。演示表明這僅僅是個開始。Hynix計劃到2022年推出HBM迭代產品，改進密度和性能。幻燈片顯示，HBM第二代產品每pin傳輸帶寬翻倍，接口帶寬達到256GB/s，將高於高端GeForce GTX980顯存界面帶寬。

下一代垂直堆疊內存每個die容量將達到1GB，讓垂直堆疊內存容量達到4GB，從幻燈片看起來八die配置也將是一種選擇，最大容量提高到8GB。
雖然幻燈片沒有提到採用HBM的具體產品，但是幻燈片表示，21款採用HBM技術的產品正在研發當中。其中之一可能是AMD即將到來的Carrizo APU，之前傳聞它將內建垂直堆疊內存。

Source:http://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/595/546/html/3.jpg.html 

Source:http://www.businesskorea.co.kr/article/2766/moore%E2%80%99s-law-sk-hynix-develops-4x-faster-dram