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隨著結盟開發帶來更快進入商業化應用的可能性，3DIC、TSV 將會是未來克服效能瓶頸相當重要的技術。

3DIC、TSV（Through-Silicon Via）等聽起來相當艱澀的製程技術，現在有機會更快進入我們的消費級產品之中。主要是因為 AMD 與 SK Hynix 日前已經宣布正式結盟合作，對 HBM Memory Stack 高頻寬記憶體堆疊技術進行開發。

目前晶片堆疊技術在 FPGA 或是影像感應器上已經有相當的應用，可惜在主流電腦市場上還是有待開發。

隨著頻寬、更高度的集成化的需要，HBM（High Bandwidth Memory）以及 3D STACKED 這類堆疊技術將可以大大解決這些問題，目前這些技術在記憶體標準制定組織 JEDEC 也即將進入完備的階段。

AMD 與 SK HYNIX 未來將會針對 HBM 以及 3D STACKED 技術合作；HBM 適合用在 GPU 或是網路晶片上，而 3D STACKED MEMORY 適合在主記憶體的使用。兩家廠商表示，HBM 預計將首見於 GPU 應用，然後才會進入網路技術與 HPC 高性能計算領域中，預計與標準的 DDR4 相比，HBM 將會縮減 37 倍的大小與減少 30% 的功率消耗。

資料來源:http://chinese.vr-zone.com/121415/amd-sk-hynix-joint-development-hbm-memory-for-bandwidth-07172014/