半導體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見的是NAND 閃存（Flash），因此針對此類芯片的任何一次進步都有可能影響到各個行業。威鋒網4 月24 日消息日前，SanDisk 和東芝宣布，已經完成了迄今為止全球最領先的15nm NAND 閃存的研發。
一般而言，提到半導體器件的製造工藝多數都會涉及晶片上集成的晶體管之間的連線寬度。更小的連線寬度可以在不增加芯片體積的情況下，集成更多的晶體管，使芯片的功能得到大幅擴展和提升。而且連線寬度越小，晶體管的極限工作能力提升幅度越大，意味著先進的製造工藝將帶來更出色的性能，同時能效越高。毫無疑問，SanDisk 和東芝將NAND 閃存研髮帶到了全新的里程碑，勢必在全球行業內造成重大影響，因為15nm 的NAND 閃存芯片製造工藝基本上是世界上最先進的工藝。據介紹，全球第二大NAND 閃存廠商東芝將通過15nm 工藝打造2bpc MLC 128Gb(16GB) 顆粒。
得益於更先進的工藝改進了外圍電路，其傳輸速率相比上一代19nm 的模塊提高了30%。東芝表示，自家的15nm NAND 閃存模塊將會於四月底在日本三重縣四日市的Fab 5 廠房開始進行量產，針對平板電腦、智能手機和筆記本固態硬盤的NAND 模塊將使用3bpc 的顆粒。同時，SanDisk 也將使用15nm 生產2bpc 和3bpc 閃存顆粒，具體計劃在今年下半年。目前半導體業務各大廠商都在追求新的工藝，但產能並不足以滿足供給，由於蘋果獲得了台積電大量20nm 訂單，Nvidia 和AMD 的新一代顯卡被迫停留在28nm 工藝。另外，英特爾以及GlobalFoundries 和三星合作的最新的14n 製造工藝也做好了準備，今年年底就能在市面上看到成品，但是良品率依然是這些半導體廠商的痛。
來源： 元器件交易網
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