日本媒體日刊工業新聞29日報導，因半導體製程技術將於數年後來到10nm等級(10-19nm)水準，加上現有工廠內可供設置設備的空間已不多，故日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)計劃於廣島工廠內興建乙棟新廠房，該棟新廠房並將導入次世代半導體製造技術「超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備」，預估投資額為20億日圓左右。
報導指出，因EUV的實用化障礙不低，故爾必達將一邊透過現有的ArF液浸曝光設備持續進行線路的細微化工程、一邊摸索EUV的量產可行性，因此爾必達將不會對上述EUV新廠房的興建時間等細節定出明確的時間表。據報導，就曝光技術來看，隨者波長變短，矽晶圓上所形成的線路線幅就可變得更細，每片晶圓所能取得的晶片數也就可變得更多，而EUV的波長為13.5nm，為現行主流的ArF液浸曝光設備的1/10以下。
2017/08/31 TV market: quantum dots reinforce LCD positioning, faced with the OLED solutions 2017/08/31 清華大學在石墨烯紙基壓力傳感器研究取得重要進展 2015/08/31 陸大基金傳買GlobalFoundries取14奈米技術抄捷徑威脅台積電 2015/08/31 大陸成最大電動車市場 2020年銷量估可達200萬輛 2013/08/31 ST新技術於全壓塑封裝內建獨立MEMS感測單元
留言列表
生技醫療產業 (1) 高科技產業 (20) 科技領導廠商 (37) 科技相關產業報價表 (5) 國際經濟趨勢 (1) 臺灣景氣訊號燈 (2) SPIDERMAN的創業職場 (1)
