韓國大廠三星電子(Samsung Electronics)位於中國西安的 NAND快閃記憶體新廠日前舉行動土典禮；三星在初期將投資23億美元建設新廠，預定2014年開始運轉，總投資額估計70億美元。不過三星未公布該座新廠的產能時程目標。
三星的西安新廠將追隨該公司位於韓國華城的Line 16記憶體廠，採用10奈米等級──在10奈米至19奈米之間──製程節點，所生產的記憶體將提供IT設備、智慧型手機、平板電腦等應用。三星並表示，中國西安廠的啟動將有助於該公司全球製造網路的「平衡」，並有助於拓展當地客戶。

在西安廠動土典禮上，三星也宣佈展開與中國當地數所大學的合作計畫，包括培育本土人才的獎學金；據了解，西安共有37所大學，以及3,000個IT技術研發中心。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： Samsung begins building China fab)

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