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台灣巴斯夫宣佈其化學機械研磨（Chemical Mechanical Planarization, CMP）新廠正式於桃園觀音啟用。此新廠專為製造巴斯夫研磨液產品而設立，於九月底正式投產，為先進半導體製程提供創新的CMP barrier研磨液（Planapur T系列）以及STI研磨液（Planapur S系列）。CMP新廠將整合現有龍潭廠的產能，以更豐沛的資源全力支持成長強勁的CMP業務。

巴斯夫電子材料事業部資深副總裁Ulrich Büschges博士表示：「巴斯夫創新與傑出的CMP研磨液深受市場肯定，此次投資將強化CMP的產能與生產效率，確保為我們的客戶提供穩定且值得信賴的產品與技術支持，並滿足先進製程的需求。這項投資也展現了我們致力於滿足客戶需求的鄭重承諾。」

新建的CMP廠為巴斯夫CMP產品的重要生產中心，並將整合到巴斯夫目前在桃園觀音廠的電子材料生產基地。觀音廠設有負責發展先進CMP產品的應用實驗室，可和客戶緊密合作。

巴斯夫電子材料CMP事業部總監王靜亞博士表示：「CMP新廠與CMP應用實驗室，將有助於我們實現巴斯夫電子材料的發展策略，與客戶攜手合作，為此一重要市場提供更全面的服務。CMP新廠將進一步增強巴斯夫在先進材料市場上的競爭優勢與發展實力。」

巴斯夫是全球與區域電子材料市場的領導者，深耕半導體市場已長達25年。隨著先進半導體技術的進步以及製程線寬的縮小，CMP被視為先進IC製造的關鍵技術，因此對於CMP製程的精密度及平坦化程度要求愈趨嚴峻。巴斯夫的CMP產品由優異的化學技術與專家研發而成，能有效解決目前製程所面臨的各種挑戰。

巴斯夫先進銅製程barrier CMP研磨液結合了巴斯夫在聚合物科學、表面與材料化學的創新科技與專業知識。此產品表現出優異的研磨率與平坦度，並且能減少在製程中所可能產生的缺陷，同時透過可調式的選擇比，符合在不同製程中對於表面平坦化的需求。

巴斯夫卓越的ceria與silica研磨液，係由巴斯夫化學技術與獨特的研磨粒設計而成。本產品除了提供優越的研磨粒穩定度以及製程調整彈性，並同時提升晶圓的產出率及降低缺陷的發生率。