圖1：使用MLC型閃存開發出用於數據中心等的SSD
美國英特爾於當地時間2011年9月14日發布了數據中心用SSD“Intel Solid-State Drive 710 Series”。採用以25nm工藝技術製造的MLC（multi-level cell）型閃存實現了100G～300GB的大容量，並就MLC型的弱點——耐擦寫能力的提高做了改進。設想用於數據中心、HPC（high performance computing）及數字內容處理等寫入/讀取次數多的用途。該系列的定位是採用SLC（single-level cell）型閃存的“Intel X25-E Extreme SSD”（容量為32G～64GB）的後續產品。
圖2：710 Series（左）與SLC型SSD“X25-E”（中）和標準MLC型SSD“320 Series”（右）的比較
新系列的耐擦寫能力，100GB產品最高為500TB，300GB產品最高為1.1PB。英特爾現行的標準MLC型SSD“320 Series”的耐擦寫能力，120GB產品為15TB，300GB產品為30TB。老款SLC型SSDX25-E的耐擦寫能力為，32GB產品為1PB，64GB產品為2PB，“實現了接近於SLC型SSD的耐擦寫能力”（英特爾）。另外，此次發布的710 Series保留20％的冗餘容量時，100GB產品的耐擦寫能力為900TB，300GB產品為1.5PB。
英特爾公司將用來提高耐擦寫能力的技術稱為“High Endurance Technology”（HET）。通過擴展測試方法等優化閃存本身，並結合優化錯誤規避方法及採用寫入放大的縮減算法等固件擴展，而提高了耐擦寫能力。
圖3：通過優化閃存本身和擴展固件提高了MLC型SSD的耐擦寫性
圖4：英特爾公佈將於2011年內投產台式電腦用高端MLC型SSD “Cherryville”（開發代碼）和與硬盤組合使用的緩存用SLC型SSD“Hawley Creek”（開發代碼）。均將採用以25nm工藝技術製造的閃存
710 Series的寫入和讀取速度與SLC型SSD X25-E相當。具體為，4KB隨機寫入速度最高為2700IOPS（冗餘容量為20％時，最高為4000IOPS），4KB隨機讀取速度最高為3萬8500IOPS。此外，710 Series強化了128位AES加密功能及停電時減少數據損失的數據保護功能等。
（記者：竹居 智久，《日經電子》）
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