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晶圓代工大廠台積電(TSMC)透露，該公司將在兩週內首度啟用深紫外光(EUV)微影設備；此舉意味著台積電已經開始為下一代的晶片生產，進一步評估三種微影競爭技術，好為生產下一代晶片做準備。
「我們是唯一公開透露已經在嘗試全部三種微影技術的廠商，我們勇於冒險；」台積電研發副總林本堅(Burn Lin)在 2011年度 Semicon Taiwan 展前記者會上表示，台積電已經在利用Mapper Lithography的電子束直寫系統(direct-write electron beam system)進行α原型的測試，而且：「結果不錯。」他指出，台積電會在明年裝設一台KLA Tencor的電子束設備。


但台積電最終還是只會選擇一種微影技術，應該是用於14奈米節點；「我們希望能在兩年內決定哪一種技術是最好的。」林本堅表示，台積電已經採購並裝設ASML的3100版本EUV系統，並將會在兩週內首度開機。


工程師們已經在EUV微影技術領域努力多年，但到目前為止，該種設備還是未能達到商業化水準，而且其成本據說超越1.2億美元。林本堅表示，他對電子束微影系統抱持高度期望，因為這種設備不需要光罩，能降低製程複雜度與成本。


另一家晶圓代工大廠GlobalFoundries的高層不久前也透露，該公司已經採購了ASML 3300系統，並將在明年底裝機；GlobalFoundries預計在20奈米製程節點進行該系統的測試，不過打算實際應用在14奈米節點的商業晶片上。