三星電子於今日發布了內存產品方面的又一標誌性產品：節能型單條32GB DDR3 服務器內存模組，採用3D TSV(直通矽晶穿孔) 封裝技術打造。這款新的32GB RDIMM （Registered DIMM ）內存使用30nm 級別工藝製造的DRAM 顆粒，默認運行頻率為DDR3-1333MHz ，功率只有4.5W ，三星稱該產品為“企業服務器用內存產品中功耗最低級別” 。
三星使用3D TSV 封裝技術的內存模組比其普通30nm 級別工藝的LRDIMM 產品功耗平均低約30% 。
TSV 封裝技術的優勢在於能使芯片像三明治一樣多層堆疊，提高封裝密度，使得內部連接路徑更短，相對使芯片間的傳輸速度更快、噪聲小、效能更佳與單層封裝技術的產品相當。三星旗下的高密度TSV 封裝RDIMM 內存產品現已進入試產階段，並且將在不久後實現大規模量產。
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