三星公司8/2宣稱其收購了專門生產自旋轉移力矩隨機存取內存（STT-RAM）的知名廠商Grandis，不過三星並沒有公開與此次收購有關的財務細節。
Grandis將被併入三星負責下一代存儲技術開發的研發部門，該部門的主要任務是檢視各種新半導體材料的特性，辨別其是否具有長期的商用價值。三星稱Grandis除了能為三星貢獻其存儲技術有關的研發成果之外，還將成為公司全球研發網絡中的重要組成部分之一。
Grandis公司始建於2002年，公司成立後主要研發與STT-RAM有關的存儲技術。外界一致認為STT-RAM是一種融合了DRAM內存的成本優勢，SRAM的高速讀寫性能優勢，以及非易失性閃存三者優勢與一身的存儲技術。同時身為第二代磁電阻式存儲技術（MRAM）的STT-RAM據稱還可以彌補第一代MRAM的主要缺點。 Grandis從多位風險投資者手中得到了總額1500萬美元的研發贊助費用，這些投資者包括Applied Ventures，Sevin Rosen Funds, Matrix Partners, Incubic 以及Concept Ventures等。
2010年6月，Grandis改變了其產品未來發展計劃，將其STT-RAM產品的未來發展目標定位為取代傳統DRAM內存，並最終取代NAND閃存。
通常認為STT-RAM是MRAM技術的第二代技術，這項技術解決了常規MRAM的一些問題。第一代MRAM的數據寫入方式主要是嚮導線中通電使其周圍產生磁場，從而改變鄰近的存儲單元的磁化程度。 Grandis則認為，雖然這種方法的寫入速度較快，但是其耗電量過大。
多年以來，無數MRAM及其它多種所謂的“下一代存儲技術”的開發廠商曾多次在各種場合鼓吹稱他們研發的技術將會取代其它各種現有的存儲產品，實現存儲市場“天下大一統”的目標，“你們信不信，反正我信”云云。然而這些說法目前看來均屬空談，而傳統DRAM和NAND閃存的製程則仍在不斷進步發展。
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