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聯華電子與賽普拉斯半導體(Cypress)共同宣佈，雙方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，矽-氧-氮化矽-氧-矽)快閃記憶體技術，成功產出了有效矽晶片(working silicon)。聯華電子將採用此新製程為Cypress生產次世代PSoC可編程系統單晶片，以及nvSRAM和其他產品。此外，聯華電子也將在Cypress授權協議下，將此技術提供給其他公司使用。

此一嶄新的S65製程，係採用65奈米SONOS嵌入式NVM (nonvolatile memory，非揮發性記憶體)技術，此製程現已順利與聯華電子標準LL65製程整合。凡是採用LL65製程的晶片設計，不論是現有或新的設計，現都可輕易地加入嵌入式快閃記憶體，享有快速產品上市時間，低開發成本，且幾乎不會對其他矽智財的設計產生干擾等優點。S65製程的主要優勢包含了高耐力，低功耗，及抵抗記憶體因為宇宙射線而發生軟錯誤的錯誤率（SER，Soft Error Rate）。相較於其他嵌入式快閃記憶體技術需要外加7-12層光罩，此技術僅需要在標準CMOS製程之外，額外加上三層光罩即可。S65製程同時可提供客戶高良率與低測試成本。就Cypress產品而言，和採用現有0.13奈米S8™製程生產相比，此一新製程預期將可減少75%的陣列尺寸，並且減少一半的功耗。

“我們非常高興能與晶圓專工製造業的領導者攜手，共同推動了此尖端技術的上市，” Cypress全球製造與營運執行副總Shahin Sharifzadeh表示，“Cypress十分期待於產品群內，加入採用S65™製程所生產的高效能新產品。同時也將與聯華電子並肩努力，將此技術授權給聯華電子廣大的全球客戶群使用。”

“身為以客戶需求為導向的晶圓專工廠商，聯華電子不斷致力於為客戶推出更精進的製程選擇”，聯華電子資深副總顏博文表示，“今日嵌入式NVM已成為諸多晶片設計的主要特性。為此，聯華電子提供了一個極富價值的技術解決方案，透過成功地整合S65™與LL65製程，藉此滿足客戶的需求。我們期望將採用此製程技術的Cypress與其他客戶產品，儘快帶入量產。”

聯華電子S65TM製程預計於今年度第三季上市。