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隨著全球對衛星通訊、衛星電視、衛星天氣預報及衛星地理數據的需求不斷提高，橫跨多重電子應用領域、意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST） 推出首款完全符合衛星和火箭電子子系統要求的功率系列產品。

根據衛星產業協會（Satellite Industry Association）報告顯示，全球衛星市場正穩定的成長，每年收入達1600多億美元[1]。雖然核心電子元件產自於全球不同地區，包括歐洲和亞洲，但獲得航太應用認證的元件主要來自美國。意法半導體與歐洲太空總署（European Space Agency，ESA）和法國國家太空研究中心（Centre National d’Etudes Spatiales，CNES）合作研發的全新抗輻射功率MOSFET系列完全符合歐洲航太元件協調委員會（European Space Components Coordination，ESCC）的技術標準。

意法半導體不僅擴大了全球航太品質規格元件的貨源，並成功打破可能拖延專案完工或禁止使用某些元件和進入某些市場的採購限制。意法半導體功率電晶體産品部總經理Ian Wilson表示：「這款新的抗輻射（RAD-hard）功率MOSFET系列產品是根據航太技術要求所設計，亦是首款由歐洲半導體廠商製造的航太規格元件。」

全新抗輻射功率MOSFET系列產品的額定輸出電流爲6A至80A，由5款N-通道和P-通道産品組成，包括額定電壓100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；額定電壓60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P-通道元件的額定電流爲34A。低閘電荷量是意法半導體STripFET製程的特性，可提升電晶體的開關性能，是DC功率模組如馬達控制器和線性穩壓器、以及線路開關和限流電子熔絲的理想選擇。

意法半導體航太規格功率MOSFET的主要特性：

· 快速開關性能
· 100%通過崩潰測試（avalanche test）
· 密封式封裝
· 可承受70/100 krad電離總劑量（Total Ionizing Dose，TID）
· 抗SEE輻射

STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現已上市，達到EM（工程模型）或 ESCC的航空品質標準，封裝採用TO254-AA和TO-39插入式（through-hole）封裝。此外，意法半導體還提供SMD.5表面貼裝配置。STRH100N10達到了 ESCC 5205/021技術標準，其它産品預計將於2011年下半年達到ESCC 相關標準。

抗輻射是航太元件的主要要求。在太空中存在大量的輻射量，例如，范艾倫輻射帶（Van Allen radiation belts）、太陽風和耀斑以及星際宇宙射線（galactic cosmic rays）。

當被迫受到伽瑪射線（gamma rays）和重離子輻射時，抗輻射元件能夠在這種環境長時間工作。MOSFET透過最佳化産品設計和製程、提高耐輻射能力，最大幅度地減少重要參數因輻射產生漂移或偏差（例如臨界電壓、漏電流及動態特性）。抗輻射元件必須接受抗輻射測試，如 Co60伽瑪射線和重離子輻射，這些是ESCC22900和 ESCC25100技術規範規定的抗輻射測試。所有元件必須通過這些測試才能獲得ESCC品質認證。

爲全球航太工業提供經濟實惠且具高性能的航太規格功率MOSFET貨源，意法半導體最佳化經市場驗證的STripFET製程，使其與抗輻射元件相容的技術和製程。