這是目前為止市面上第二款基於20nm級別製程的NAND閃存芯片產品，另外一款則是IM Flash生產的64Gbit密度的25nm製程產品。

　　然而，早在去年8月份，Hynix便宣稱已經開始量產64Gbit密度26nm製程NAND閃存芯片產品，但不知為何目前我們還沒有在市場上看到這款芯片的踪影。

　　UBM TechInsights的分析師稱：“三星的NAND閃存芯片產品成功地從35nm製程進化到了27nm製程，他們在新製程中採用了許多創新性的技術，克服了許多其它存儲芯片大廠所未能妥善解決的問題。”

　　當這款27nm製程的NAND芯片產品被應用在SD卡上時，其寫入性能相比35nm製程產品（標號K9GBG08U0M）而言提升了30%左右，而產品的耐久性則基本與35nm製程產品持平。

　　另據UBM TechInsights指出，三星這種32Gbit密度27nm製程NAND閃存芯片去年第三季度完成了樣件試制工作，量產時間則是在今年第一季度。

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