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瑞薩電子(Renesas Electronics)發表 R2J20751NP 功率半導體裝置開發。此裝置可做為PC、伺服器及印表機內DDR類型 SDRAM 記憶體及大型邏輯裝置(如FPGA)之專屬電源供應器。 R2J20751NP 為POL轉換器中首款具備最大25A額定電流且在單一封裝中整合 MOSFET及電源供應控制器的產品，可讓系統設計師實現尺寸更小且更具能源效率的電源供應系統。

R2J20751NP 可將5V的供電轉換為記憶體模組所需的1.5V。由於晶片小型化及安裝技術的提升，使本產品可在6 mm x 6 mm的單一超小型封裝中整合兩個功率MOSFET及一個含晶片內建驅動器的 PWM 控制IC，相較於瑞薩電子現有產品，可縮小安裝面積約60%。另外，最大25A額定電流版本可達94.5%效能(以5A輸出電流運作時)，有助於降低電源供應系統的耗電量。

個人電腦與伺服器採用低電壓半導體裝置的發展趨勢，使 DDR 類型 SDRAM 、FPGA 等對於低電壓、大電流功能的需求也逐漸升高。然而，縮小安裝面積也變得非常重要，因為電源供應系統中所使用的元件數量亦逐漸增加，例如功率 MOSFET 及被動元件。在單一封裝中結合電源供應器及電源供應控制器(含晶片內建驅動器之 PWM 控制IC)，可大幅縮小安裝面積。

R2J20751NP 將5V輸入電壓轉換為1.5V輸出電壓時，可達94.5%最高電源轉換效率，在結合額定25A電源供應器與電源供應控制器(含晶片內建驅動器之PWM控制IC)的同類產品中為最高水準。如此將有助於降低電源轉換損耗，並藉此獲得更高的電源效率。

R2J20751NP 整合瑞薩電子獨家開發的時脈傳送系統，使多個裝置可透過主從式組態進行連結。這表示所使用的功率半導體數量(一或多個)可擴充以供應電子裝置(例如DDR類型SDRAM或FPGA)需耗用的電流量，因此在變更電源供應器規格時，不需要選擇不同的功率半導體裝置，藉此簡化電源供應器設計。

另外，內建的自動相位控制功能會自動切換至最佳的相位數，以符合電源供應器輸出電壓。如此在小電流至大電流的範圍內皆可維持高效能。R2J20751NP裝置整合DC-DC POL轉換器所需的各種保護功能，包括過電流保護及過電壓保護。因此可用較少的外部元件建置可靠的電源供應系統。

R2J20751NP採用散熱性極佳的40-pin QFN封裝。位於封裝下方且佔據一半以上面積的晶粒座可在安裝後確保散熱效果。 R2J20751NP 功率半導體裝置自2011年2月開始供應樣品，量產時程預定為2011年3月，並預估每月之合計產能將達500,000顆。