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（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新一代高頻功率電晶體。新産品可有效延長如醫學掃描器和電漿產生器（plasma generator）等高功率射頻設備的工作時間，並可提高應用性能及降低設備成本。



經製程升級後，意法半導體最新的射頻功率MOSFET電晶體可承受高達200V的峰值電壓，較同類競爭産品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率電晶體的使用壽命，從而降低設備的停機時間和經營成本。先進的製程還能提高MOSFET的增益、能效及高功率特性，進而提高設備性能，並簡化設計。

此外，新産品採用最新的陶瓷封裝和意法半導體的塑膠氣腔封裝技術（Air Cavity，STAC），這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性，進一步降低設備維護成本。

SD4931和SD4933分別是150W和300W N通道射頻功率MOSFET電晶體，適合用於50V DC訊號高達250MHz的應用。採用意法半導體的強化垂直矽製程和配備供螺栓式（bolt-down）安裝凸緣（flanges）的陶瓷封裝是這系列元件的兩大優勢。

STAC4932B和STAC4932F採用意法半導體的供螺栓式和倒焊（或稱無凸緣；flangeless）STAC封裝，適合100V脈衝/額定功率1000W以上的射頻應用，如驅動雷射（laser driving）和核磁共振攝影（Magnetic Resonance Imaging，MRI）。 擁有高散熱和高能效的STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET電晶體能夠輸出高功率的高頻訊號，最大幅度地提升應用可靠性，延長設備的使用壽命。

採用陶瓷封裝的STAC4932B現已量産；採用STAC封裝的STAC4932F預計於今年6月量産。