目前在下一代存儲晶片的研發當中，除了3D XPoint晶片外還有ReRAM晶片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發力中國市場。其中，中芯國際將採用自家的40nm CMOS試產ReRAM晶片。近日，兩者合作的結晶終於誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM晶片。
以紫光為代表的中國公司正在斥資數百億美元投入NAND、DRAM等等存儲芯片市場，2018年將推出國產3D NAND閃存，意圖實現國家要求的芯片自給率要求。不過在NAND領域，中國公司研發、生產已經晚了20多年，更大的希望還是在在新一代存儲技術上。中芯國際（SMIC）日前正式出樣40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，更先進的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
SMIC中芯國際已經出樣40nm工藝的ReRam存儲芯片
在存儲芯片領域，NAND閃存是目前的絕對主流，保守點說三五年內它都會是電子設備存儲芯片的主流選擇，但研究人員早就開始探索新一代非易失性存儲芯片了，，Intel、美光研發的3D XPoint之前有說是基於PCM相變存儲，也是新一代存儲芯片範疇了，而今天說的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）更是代表性的非易失性存儲器。
雖然它的名字中帶RAM，不過ReRAM其實更像NAND閃存那樣用作數據存儲，只不過它的性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。
說到ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根據該公司資料，Crossbar技術首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發，他也是Crossbar的首席科學家和聯合創始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在ReRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士後研究員，然後被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結構和設備行業的領先專家，包括基於雙端電阻開關設備的高密度內存和邏輯系統、神經元電路、半導體納米線設備和低維繫統中的電子輸運。
2016年這家公司獲得了8000萬美元的風投，其中中國公司也參與了，而Crossbar去年3月份也宣布進軍中國市場，他們的合作夥伴就是SMIC中芯國際，將基於後者的40nm CMOS試產ReRAM芯片。根據該公司副總裁Sylvain Dubois所說，2016年內中芯國際已經開始給客戶出樣40nm工藝的ReRAM芯片，實現了該公司之前2016年內推出ReRAM的承諾。
不僅如此，更先進的28nm工藝版ReRAM芯片也將在2017年上半年問世，只是Sylvain Dubois拒絕表態是否還是由SMIC生產，還是交給其他代工廠。
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