近日，東芝存儲器事業副社長成毛康雄在“SEMICON Japan 2016”（東京有明國際會展中心）半導體高端論壇上表示，“未來3D閃存需要挑戰200層堆疊”。
成毛康雄還介紹了3D閃存目前的情況和未來戰略規劃，對比15nm工藝2D NAND（二維閃存），東芝投入生產的48層TLC 3D NAND（BiCS FLASH），3D NAND單位存儲密度可達到256Gbit，而15nm工藝2D NAND僅為128Gbit，而且很難向256Gbit提升，相比之下，3D NAND較2D NAND就有更高的容量優勢，可靠性（擦寫次數）可提升約10倍，性能（讀寫速度）可提高至約兩倍，功耗可降至約一半。東芝打算運用3D NAND的這些優點，開拓數據中心用SSD等要求容量大、可靠性高的市場和用途。
東芝存儲：3D NAND堆疊或將突破200層
東芝已從2016年7月推出基於64層3D NAND（256Gbit產品）樣品，後期還將把存儲容量提高至512Gbit。成毛康雄表示，“對3D NAND量產非常有信心，2017年將供應部分64層堆疊3D NAND Bits”
東芝致力於高集成化和低成本創新技術，成毛康雄表示，隨著3D技術進一步發展，會推進100層堆疊，未來目標是提到200層。隨著堆疊數量的増加，3D NAND容量將進一步提升，東芝將致力於芯片尺寸薄型化發展。
Source:中關村在線原創]
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