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垂直通道填充金屬係3D NAND Flash朝64層以上垂直堆疊發展的關鍵課題之一，DIGITIMES Research觀察，原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)製程可於高深寬比(High Aspect Ratio)垂直通道中，大面積形成均勻性薄膜，且具備良好的階梯覆蓋性(Step Coverage)，故適用於更多層3D NAND Flash垂直通道填充金屬，然其存在沉積速度較慢及所需材料成本較高等問題。

ALD係化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)的一種，與另一CVD技術電漿輔助化學氣相沉積(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)相較，ALD採用依序注入第一種與第二種前驅物(Precursor)作為反應氣體的方式，來蒸鍍薄膜，此不同於PECVD運用電漿的蒸鍍技術，同時蒸鍍兩種以上前驅物進行化學反應。

觀察ALD的優點，其可準確控制膜厚，以原子級精準度形成大面積的均勻薄膜，且適於在凹凸結構蒸鍍階梯覆蓋性佳的薄膜，反觀PECVD則不易在凹凸結構或深孔圖樣達成厚度一致的薄膜，故ALD製程可望成為64層以上3D NAND Flash垂直通道填充金屬的解決方案。

不過，ALD因依序注入反應氣體以蒸鍍薄膜，其沉積速度較PECVD慢，相對需較長製程時間，且ALD所需前驅物數量較多，易使沉積成本增加。

DIGITIMES Research觀察，3D NAND Flash朝64層以上發展，需於沉積與蝕刻面改良薄膜沉積、垂直貫穿通道、通道填充金屬等製程，其中，薄膜沉積製程時間延長，垂直貫穿通道需改採成本較高的乾式蝕刻技術，而通道填充金屬所需ALD製程亦存在製程時間與成本增加等問題，使得如何因應成本上揚將成3D NAND Flash發展更多層技術的重要課題。

資料來源：南韓NH投資證券，DIGITIMES整理，2016/12

原文網址: Research - 原子層沉積適用於多層3D NAND Flash　然製程時間與成本增加為新課題 http://www.digitimes.com.tw/tw/rpt/rpt_show.asp?cnlid=3&v=20161215-280&n=1&wpidx=8#ixzz4SveuKTBA