受惠智能型手機搭載的NAND Flash儲存容量持續提升，以及PC、服務器及資料中心積極導入固態硬碟(SSD)，NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進3D NAND Flash世代。其中，英特爾(Intel)2017年3D NAND Flash新品將全面放量，分頭搶食資料中心、專業、消費性與嵌入式市場大餅，迎戰三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)與近年崛起的大陸業者。
由於2D NAND Flash架構面臨技術推進瓶頸，芯片容量難再提升，使得存儲器大廠2016年起明顯擴大3D NAND Flash投資，2D NAND Flash產能因此快速下滑，加上智能型手機、資料中心等SSD需求揚升，使得整體NAND Flash出現供不應求情況。
看好3D NAND Flash即將成為市場主流，2017年3D NAND商機將噴發，三星、東芝、SK Hynix、美光與英特爾等大廠紛擴大3D NAND投資力道，尋求技術與產能進一步突破。值得注意的是，不讓三星在3D NAND技術世代搶占先機，英特爾已擬定2017年3D NAND Flash戰略，在製程技術與產能持續推進下，預計自2017年2月起針對資料中心、專業、消費性與嵌入式市場，將發布多款3D NAND TLC新品。
據英特爾最新規劃，採用PCIe介面的SSD資料中心產品線，繼2016年推出DC D3700系列與DC D3600系列NVMe SSD後，預計2017年第3季將推出儲存容量大幅拉升的頂級版本，採用2.5吋硬碟尺寸、U.2介面，儲存容量有2、4、8TB，而在2017年2~3月將會有DC P4500/P4600/ P4600 LP/4500 LP系列正式量產，產品生命週期至2019年首季為止，而SATA介面的SSD資料中心產品陣容，則在第2季會新增DC S4600/S4500與入門級DC S3110系列等。
而針對專業市場，英特爾將在2017年第4季推出PCIe/NVMe介面的Pro 7600p與SATA介面的Pro 5450s；消費市場方面，繼2016年9月推出高性價比的600p後，2017年第3季會推出600p BGA版本，以及SATA介面的545s。
另於嵌入式市場，預計最快2017年4月與7月會分別量產5430S系列與M.2版本，第3季還有20nm MLC的E 6500p。此外，包括E 5400s/5410系列將會在2018年首季停止供貨，E 6000p則是在2018年第3季停止供貨。
隨著3D NAND Flash技術競逐已成為存儲器產業主戰場，英特爾除產能將全面開出，同時也投入開發全新基於3D XPoint技術的Optane SSD，工程樣本於第3季已交予客戶，預計2017年第2季起進入量產，可應用在高階服務器與PC產品，將是英特爾力戰三星、東芝與SK Hynix的重要產品，而其最受關注的客戶為蘋果(Apple)，預計2017年下半所推出的MacBook Pro將會採用英特爾Optane SSD。
目前英特爾非揮發性存儲器解決方案事業群仍處於虧損狀態，然隨著3D NAND Flash技術成為主流，且3D XPoint存儲器將於2017年上半登場，可望進一步帶動英特爾獲利成長，2017年由虧轉盈。
Source:Digitimes
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