隨著去年下半年單晶矽片的讓利搶占市場效果顯著，多晶矽片龐大的產能也欲以金剛線切降本以扳回一城。這樣的熱潮在各大垂直整合廠近日的財報會議也可見一斑，市場討論金剛線切多晶矽片以及黑矽技術的熱度又再燃起。
雖太陽能業界探討金剛線切多晶矽片已行之有年，但過於光亮的矽片會讓電池片外觀產生線痕問題、也會因更高的反射率而降低轉換效率，故須再多加一道表面制絨的工藝處理，業界普遍稱之為黑矽技術。其中又以乾法制絨的離子反應法（Reactive Ion Etching，RIE）技術與濕法制絨的金屬催化化學腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE）各據一方。
除了能解決外觀問題之外，從轉換效率的角度探討，多晶電池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率為主。黑矽技術能形成奈米級的凹坑，提升入射光的捕捉，故在矽片端降本、電池片端提效兩方面都同時兼顧。
而RIE技術在比太科技的加入後更臻成熟。首先，其絨面能從先前200奈米開口提升至400奈米，且倒金字塔絨面強、也利於陷光。另外，較黑的電池片也提升了弱光性的表現，同時增加了長、短波光的吸收，讓電池片的效率提升更加顯著。
黑矽技術設備商常州比太科技CEO上官泉元表示：“今年比太已預期接獲1GW的訂單，不論是在量產性、或是導入成本與提效的效果上，RIE都是目前最成熟、也最能獲得效益的黑矽技術。”從目前比太與P型技術領導廠商之一晶澳合作看來，不僅量產順利、電池片產出也能與現有機台搭配，達到每小時3600片電池片的產出。以目前估算每瓦僅需提升US$0.007的成本、卻能助每片組件瓦數再向上提升5W來說，不失為性價比極高的新技術選項。
市場單多晶之爭越演越烈，為持續以成本優勢穩居市場主流地位，多晶矽片轉換為金剛線切割來更進一步降低成本已到了非做不可的時機，而黑矽技術即成為必然的選項。除了降低成本之外，多晶轉換效率的提升也是一項重要課題。目前單晶275~280W組件價格僅約US$0.54/W左右，大大壓縮了多晶PERC產品的生存空間，而乾法制絨技術能在每瓦成本提升不多的情況下幫助多晶組件瓦數再向上提升一個檔次，也將更吸引廠商加速導入黑矽技術的速度。然黑矽技術目前在干法與濕法黑矽技術都還有部分細節問題待市場驗證，而今年陸續有一線大廠導入的干法黑矽技術，有望因為產業領導廠商的登高一呼而成為今年市場最火熱的新技術。
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