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中芯國際與阻變式存儲器（RRAM）技術領導者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發與製造達成戰略合作協議。
    
    作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協議，基於中芯國際40納米CMOS製造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯網、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業及汽車電子市場需求。

    “Crossbar產品持續按計劃推進，目前正在授權階段。我們很榮幸宣布與中芯國際的合作，這是我們的RRAM技術實現商業化的重要一步。”Crossbar CEO及聯合創始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設計者需要非易失性存儲器技術，此技術能夠更加便捷地集成到他們的產品中去並且能夠應用標準的CMOS邏輯製程製造。Crossbar的RRAM技術與中芯國際專業製造能力的結合將創造獨特的存儲器架構，安全性更嚴格，功耗更低，同時提供更大容量和更快的進入時間。”

    Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對更小工藝尺寸的可擴展性使非易失性存儲器組件在更低工藝節點的MCU和SoC中集成成為可能。 RRAM元件能夠集成到標準的CMOS邏輯工藝當中，在標準CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲器解決方案的實現，將片上非易失性存儲器、處理器核、模擬及射頻集成在一個單獨的芯片上。

    “基於中芯國際40納米技術節點，我們能夠為客戶提供應用於智能卡和多種物聯網器件的高容量、低功耗且具有獨特安全性的存儲器技術。”中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈雲博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國際穩定可靠的40納米技術平台上展開合作。我們能夠為全球客戶提供具有競爭力的技術，幫助他們縮短入市時間。我們也致力於與更多世界領先的公司展開長期戰略合作，共同服務市場並在未來實現共贏。”

    Crossbar的RRAM技術為需要低功耗、高性能非易失性代碼執行和數據存儲功能的嵌入式應用提供具有性價比的集成存儲器解決方案。