2015年受到需求面不振、持續供過於求的影響，DRAM價格呈現顯著衰退，尤其以標準型內存最為明顯。TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange調查顯示，在寡占市場型態下，雖然小幅供過於求且價格持續下滑，各供貨商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續2013年與2014年態勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016年雖然受惠於智能手機及服務器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，但各項終端產品仍難有爆發性的發展。DRAMeXchange預估2016年整體DRAM需求增長約為23%，供給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所帶來的成本下降以及產品組合的調配。
2016年DRAM產業趨勢分析如下：
年度位元產出來自20納米製程轉進，晶圓投片量大約持平
吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態，各供貨商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處於完全競爭市場型態的NAND Flash健康許多。2016年的位元產出主要是來自於SK海力士與美光半導體20/21納米的轉進，晶圓產能上，除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續啟用之外，2016年DRAM總投片量與2015年呈現持平。
DDR4正式取代DDR3成為市場主流
隨著市場需求轉變以及20納米逐漸成熟，DDR4的生產比例越來越高。2015年由於Intel平台支持度的問題，DDR4的導入主要發生在服務器端，並且已經率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估，個人計算機（PC）/筆記本電腦端由新平台Skylake開始採用DDR4，將會在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。
行動式內存與服務器內存生產比重持續提升
智能手機受惠於20nm製程產出的LPDDR4普及度越來越高，高端旗艦機型（除蘋果以外）以3GB/4GB為標準規格。吳雅婷指出，2016年第二季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機型問市，大幅增加行動式內存的需求動能。服務器內存亦然，受惠於20nm製程產出的DDR4普及度升高，在高容量32GB/64GB組件成本降低，促使廠商策略性調降價格以刺激需求，有助於服務器內存生產比重提升。
中國大陸進軍DRAM意圖仍在，但進入門坎高，難有進展
2016年中國大陸持續發展半導體的策略不變，仍將有許多併購發生，內存方面更是中國大陸發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場態勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求，因此三強與中國大陸合作可能性低，使得中國大陸欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體產品類別。
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