真乄科技業的頂尖投資團隊

三星電子(Samsung Electronics) 2012年第2季將推出電力晶片產品，這是自1999年三星將電力半導體廠拋售給快捷半導體(Fairchild Semiconductor) 13年後，三星首度推出的電力晶片產品。據南韓電子新聞報導，三星2011年5月與三星綜合技術院組成電力晶片共同研究開發小組，才經過3個月時間，已完成製程技術研發，正以飛快的速度推動商業化。 


三星相關人員指出，三星已開發出電力晶片中需求驟增的絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)的生產製程技術，該製程安定化、磊晶成長、封裝等技術研發則仍在進行當中，預計2011年內可完成產品開發。三星計劃2012年第2季投入IGBT量產，並正式展開電力晶片事業。


三星在研發製程技術的同時，為避免產生電力晶片相關專利紛爭，已事先取得快捷半導體及相關業者的交叉授權。1999年面臨匯率危機和專利糾紛，成為三星決定終止電力晶片事業的主要原因。在三星決定重新展開電力晶片事業之餘，將盡力避免重蹈覆轍。


快捷半導體表示，無法對外透露相關詳情。三星將電力晶片事業拋售給快捷半導體，然近來IGBT相關業者已增加至10多間。


三星將研究範圍擴大至氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)等新原料。推估電力晶片事業將會成為非記憶體事業的一大軸心。IGBT為控制10A以上大電流的晶片原料，可應用在電動車、汽車、電梯等用電量較大的產品上，可控制流通或阻斷電流。2011年市場規模達9億美元。


南韓業者指出，由於記憶體事業逐漸走下坡，三星將重心轉移到行動應用處理器、CMOS影像感測器等系統LSI事業。三星的生產能力優秀，若決定進入2011年全球市場規模達152億美元、每年出現11.5%高成長的電力晶片市場，成為市場核心的可能性破高。