真乄科技業的頂尖投資團隊

市場研究機構 Coughlin Associates 的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torque transition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
Coughlin Associates 的報告指出，因為具備省電與非揮發特性，MRAM/STT MRAM市場營收規模可望由 2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元；期間的複合年平均成長率(CAGR)估計為50%。

因為MRAM能以CMOS邏輯製程生產，使其適合做為嵌入式非揮發性記憶體使用；該種記憶體需要額外的磁性材料層以及專門的生產設備，與生產硬碟機內磁性讀寫頭(magnetic read sensors)的設備類似。Coughlin Associates估計，市場對獨立MRAM元件與嵌入式MRAM的需求，將驅動MRAM製造設備市場的成長；該市場規模將由2013年的5,290萬美元，在2019年成長至2.463億美元。

除了MRAM，Coughlin Associates 的報告還討論了相變化記憶體、電阻式記憶體(ReRAM)、鐵電記憶體(FeRAM)以及碳奈米管等技術；該報告指出，ReRAM也有取代快閃記憶體的潛力，但恐怕還要再過十年才可能發生，至於MRAM取代SRAM與DRAM的情況在接下來幾年就會看到，可能早於ReRAM取代快閃記憶體的時程。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： Report: Magnetic RAM Set for 50% CAGR，by Peter Clarke)

資料來源:電子工程專輯