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目前分類:半導體製程技術/TSV/2.5D/Fan-Out/Photonics/FD-SOI (917)

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Weakness in high-brightness LEDs lowered optoelectronics in 2016 while sensors/actuators got a needed boost from improved pricing.

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西班牙巴塞隆納大學(University of Barcelona)的研究人員指出,目前用於軟性電路製造的積層製造和捲對捲(R2R)製程仍然缺少足夠的材料和精確度,因而無法在沒有分離式表面安裝元件(SMD)的情況下進行。研究人員們持續探索各種可能性,期望以基於銀油墨的噴墨印刷途徑,取代必須使用回流焊焊膏、環氧樹脂或其他導電黏合劑的網版印刷…

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隨著傳統的CMOS微縮時代逐漸邁向尾聲,工程師開始轉向新的材料、製造技術、架構與結構;半導體產業協會(Semiconductor Industry Association;SIA)日前也針對如何在未來幾年內持續保有半導體技術創新,制定了一系列的研究重點。

SIA與半導體研究機構Semiconductor Research Corp. (SRC)共同研究,並發佈了一份73頁的報告,列出14個被確定為研究重點的領域。該列表中包括認知運算、互連技術、下一代製造和電源管理等項目。該報告並呼籲「針對傳統矽基半導體以外的新技術進行強大的政府和產業投資」。

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20170327_Photonics_NT04P1

Smit表示,InP超越大多數技術領域 (來源:OFC)

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A snapshot of some of the InP designs produced in Europe.

A snapshot of some of the InP designs produced in Europe.

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根據致力於規劃新版半導體發展藍圖的工程師所提供的白皮書,傳統的半導體製程微縮預計將在2024年以前告終。值得慶幸的是,各種新型的元件、晶片堆疊和系統創新,可望持續使運算性能、功耗和成本受益。

在國際元件與系統技術藍圖(International Roadmap for Devices and Systems;IRDS)最新發表的一份白皮書中提到,「由於多間距、金屬間距以及單元高度同時微縮,使得晶粒成本迄今持續降低。這一趨勢將持續到2024年。」

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法國能源署電子暨資訊技術實驗室(LETI)提出了一種低成本的晶片保護方法,能夠讓晶片免於來自晶片背面的侵入式和半侵入式攻擊。

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The fabricated MEMS probe scanner, with close-up SEM images highlighting major components of the device.

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Wafer forecast for TSV application by segments Yole report

Driven today mostly by BSI CIS, the 3D TSV equipment & materials business will be supported by 3D stacked memory’s expansion

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Annual total semiconductor unit shipments (integrated circuits and opto-sensor-discrete, or O-S-D, devices) are forecast to continue their upward march in the next five years and are now expected to top one trillion units for the first time in 2018, according to data presented in IC Insights’ soon to be released March Update to the 2017 edition of The McClean Report—A Complete Analysis and Forecast of the Integrated Circuit Industry, and the 2017 O-S-D Report—A Market Analysis and Forecast for the Optoelectronics, Sensors/Actuators, and Discretes.

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2017年3月10日 - 電子行業設計和製造半導體材料的全球領導者法國Soitec公司宣布已與其合作夥伴 - 上海新傲科技股份有限公司,開始8英寸SOI晶圓大模量產,該SOI晶圓由Soitec自主研發SmartCut(TM)專利技術生產並已由客戶驗證這一合作模式的成功運行成為Soitec一重要里程碑,意味著面對日益增長的通信和功率器件市場, Soitec其全球範圍內產能能逐步達到半導體製造市場對於8英寸SOI晶圓的需求。

“在中國開展第二生產來源可以保證我們8英寸SOI晶圓所需產能,同時確保擁有同樣生產設備的中法兩個工廠產出同等水準的高質量SOI晶圓產品。”Soitec通信和功率電子業務部高級副總裁Bernard Aspar博士說到,“我們和新傲公司的合作關係正在高效運作中,而我們的客戶也在這個戰略舉措中起到了支持推進作用,這充分體現了Soitec技術轉讓的專長以及生產戰略。

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市場研究機構IC Insights的最新報告指出,全球半導體元件──包括IC與光電元件-感測器/致動器-離散元件(O-S-D)──年度總出貨量預期在接下來五年將持續增加,到2018年將首度跨越1兆(trillion)顆的門檻。

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表一、晶圓廠設備支出統計(前段設備)

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一般而言,汽車電子零組件特別強調可靠性,所以常被形容為採用落後於消費性電子產品10~15年的技術,但日本經濟新聞網站報導,2016年上市iPhone 7用的扇出型晶圓級封裝(Fan Out Wafer Level Package;FOWLP)技術,世界汽車零部件及系統頂級供應商電裝(Denso)考慮引進該技術,從2020年開始應用,將落後幅度減少到5年以內。
 

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20170222 SEMI NT21P1

2016年8月至2017年1月北美半導體設備市場出貨統計(單位:百萬美元)
(來源:SEMI,2017年2月)

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近期封測行業熱鬧不斷,安靠科技收購FANOUT技術領先廠商NANIUM與長電先進FO ECP產品出貨破億隻。一個趨勢是,由於先進封裝製程帶來的中段工藝,晶圓廠和封裝廠有了更加緊密的聯繫,封裝廠在超越摩爾時代的地位也會上升,將面臨來自晶圓廠的挑戰和新的機遇。

先進封裝是延續摩爾定律生命的關鍵,具有廣闊市場空間。由於高溫和電荷洩露,7nm已經接近物理極限,而28nm之後工藝進步的成本效益可能會消失,因此摩爾定律發展至今遇到阻礙,而通過SIP等先進封裝技術變2D封裝為3D封裝,將多個芯片組合封裝形成一個系統的方式成為延續摩爾定律的關鍵,在提升芯片電路密度的同時由於去PCB化維持了較高的性價比。

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