晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）技術長蘇比（Subi Kengeri）昨（24）日來台，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術龍頭，繼14奈米XM明年量產，10奈米2015年推出，此進度比台積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發還領先一年。
格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年併購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務客戶經驗，IC Insights統計，2012年公司躍進晶圓二哥，與台積電同列晶圓雙雄。
Silex-BroadPak的矽中介層技術透過矽穿孔(TSV)，讓多個晶片在一個共同的基板上實現3D互連。
三維(3D)晶片堆疊可望成為半導體整合的未來。然而，目前針對內部分層的散熱問題仍懸而未決，從而推動業界轉向採用矽中介層。最近一款由Silex與BroadPak公司聯手開發的新式矽中介層技術，可望克服這項挑戰，使 3D 晶片整合導入量產。
半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料，在邁入10奈米技術節點後，將面臨物理極限，使製程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產業明日之星。
應用材料半導體事業群Epitaxy KPU全球產品經理Saurabh Chopra提到，除了製程演進以外，材料技術更迭也是影響半導體科技持續突破的關鍵。
台積電搶進高階封裝領域的CoWoS技術成效不如預期，傳主力客戶阿爾特拉（Altera）、賽靈思（Xilinx）決定改採層疊封裝（PoP），有意將訂單轉向日月光、矽品及美商艾克爾等封測大廠，蘋果也考慮跟進將相關封測訂單移至日月光。
台積電不願透露客戶採用CoWoS進度。業界認為，台積電宣布跨足高階封裝之後，市場原憂心日月光、矽品等既有一線封測大廠將受到嚴重威脅；隨著阿爾特拉等大廠封測訂單可能轉向，封測業面臨台積電搶高階訂單的利空暫時消除。
有不少精明的半導體業者積極尋求具經驗的日本專業工程師人才，晶圓代工新秀 GlobalFoundries 也是其中之一，而且該公司正密切關注從瑞薩(Renesas)出走的人員。
景況不佳的瑞薩繼去年秋天針對總數為7,446人的40歲以上員工提出提早退休計畫後，又在上個月宣佈將進一步裁員3,000人；通常人們會認為，那些丟飯碗的成千上萬瑞薩員工恐怕無法再找到下一個全職工作，儘管他們是將一生奉獻給公司──而且那是發生在日本。
全球最大半導體微影設備廠荷商艾司摩爾（ASML）在台積電董事長張忠謀引薦下，評估進駐中科二林園區，估計投資金額上看千億元，是繼鴻海、上銀之後，二林園區最受矚目的進駐廠商。
國科會副主委賀陳弘昨（4）日宣布，二林園區轉型環評正式通過。他說，二林園區已準備好「動起來」，將由中科管理局引進優質廠商，在特定招商方面，透過張忠謀書信引薦下，已取得艾司摩爾正面回應。艾司摩爾目前在新竹有1個研發中心，隨著台積中科15廠Fab15朝28奈米、20奈米發展，艾司摩爾考慮進駐二林園區。
2013年半導體產業聚焦在三巨頭——台積電、英特爾與三星的產能與技術比拚，以及訂單的板塊位移態勢，三巨頭今年的資本支出規模都讓市場吃驚，不約而同的維持高資本支出水位，讓原本預期資本支出將大減的外界皆有跌破眼鏡之感，三巨頭不但要力拚先進製程產能的擴增，也都展現出欲在20奈米以下製程與18吋晶圓技術超越對手的企圖心。
台積電2013年資本支出再度上升至90億美元規模，而英特爾也逆勢增加至130億美元，三星也並未如外界預期大砍資本支出規模，而是宣布2013年資本支出與2012年相近，約為130億美元。三巨頭除了要在產能與技術上一較高下之外，隨著蘋果應用處理器的轉單與英特爾成為晶圓代工廠競爭對手，全球半導體訂單出現的板塊位移也是2013年的產業亮點。
聯電(UMC)與新加坡半導體封測廠商星科金朋(STATS ChipPAC)共同發表號稱全球第一件在開放式供應鏈環境下合作開發的內嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術。兩家公司所展示的 3D晶片堆疊，由Wide I/O記憶體測試晶片和內嵌TSV的 28奈米微處理器測試晶片所構成，並且達成封裝層級可靠度評估重要的里程碑。
此次的成功證明了透過聯電與星科金朋的合作，在技術和服務上結合晶圓專工與封測供應鏈，將可以順利實現高可靠度3D IC製造的全面解決方案。聯電與星科金朋經驗證的 3D IC 開放式供應鏈，為業界供應鏈間的合作，建立了實現共贏的重要範例與標準。在此一合作開發計畫中，聯電所提供的前段晶圓製程，包含晶圓專工等級細間距、高密度TSV製程，可順暢地與聯電 28奈米Poly SiON製程相整合。
在日前的投資者會議上，台積電 TSMC 董事長張忠謀表示在 2013 年他們將投入 90 億美元資本支出，用於提升 28nm 製程產品出貨量和新建 20nm 製程生產線。在客戶強勁需求的帶動下（高通、華為、NVIDIA...自然還有大客戶 Apple），台積電 28nm 製程產品的產能在去年急劇提升，而這樣的趨勢預計在 2013 年仍將繼續，目前可見的訂單量已經排到了第三季下旬（主要是手機基頻晶片、ARM 處理器、繪圖晶片、x86 處理器等），張董估計在注入更多資本後能將今年的出貨量提高到去年的三倍。另外在剛剛公佈的台積電 2012 年第四季財報中我們也可以看到，28nm 製程產品的出貨量佔到了當季晶圓銷售的 22%，全年營收約為 615 億新台幣，大約佔到台積電全年總營收 12% 的比重，年增率遠高於行業 7% 的平均值。
行動通訊應用百花齊放，28 奈米、甚至更高階的晶片漸成主流，再加上2.5D與3D IC技術逐步成熟，IC封測業今年也聚焦相關製程備戰。不僅日月光(2311)、矽品(2325)持續擴充凸塊與覆晶封裝產能，力成(6239)在銅柱凸塊與TSV(矽鑽孔)等高階封裝的佈局亦將逐步發酵，鎖定LCD驅動IC封測的頎邦(6147)也將拉高12吋凸塊產能，預期今年將是封測業者軍備競賽持續演進的年份。
國內IC封測業兩大龍頭日月光、矽品去年資本支出都創下歷年新高，分別達約260億元、165億元水準，不過今年在銅打線製程產能已相對豐沛狀況下，今年的資本支出將聚焦在凸塊晶圓(Bumping)和晶片尺寸覆晶封裝(FC- CSP )等高階封裝產能，用以支應手機和平板電腦等行動裝置應用所帶動的高階晶片封裝需求。
全球半導體聯盟(GSA)正式發表「2012中國 IC設計產業現況報告」。此產業報告是根據中國半導體行業協會積體電路設計分會理事長魏少軍於 2012年11月7日GSA台灣半導體領袖論壇中所發表的開幕主講「後 20nm工藝時代無晶圓製造產業的可持續發展挑戰」，輔以2012年12月6日於重慶舉行的中國集成電路設計年會(CSIA-ICCAD)所發表的演講「加強基礎能力建設，走可持續發展之路」之更新數據及觀點整理而成。
根據魏少軍所提供的數據，2012年中國 IC設計產業佔全球 IC設計產業的13.61%。雖然中國IC設計產業的整體規模仍然相對較小，但長期來看中國龐大的內需市場以及擁有大量工程人才的潛力已備受全球矚目。今年全中國IC設計產業銷售額預估達到680億元人民幣，比2011年的624億元增加8.98%，超過108億美元。儘管全球半導體市場現今面臨許多挑戰，中國在未來幾年將扮演影響全球市場成長的重要角色。
比利時奈米電子研發機構愛美科(Imec)與晶片設計、驗證與製造及電子系統軟體廠商新思科技(Synopsys)近日宣布，雙方將擴大合作範圍並將電腦輔助設計技術(Technology Computer Aided Design，TCAD)應用於10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程。此合作案是以14奈米等製程為基礎，而透過這項合作案，新思科技的Sentaurus TCAD模型將可有效支援新世代FinFET裝置。雙方的合作將包含新裝置架構的3D建模(3-D modeling)，可協助半導體產業生產高效能、低功耗的產品。
愛美科邏輯程式部(logic program)總監Aaron Thean表示，我們當前的研發重點在於解決10奈米製程所面臨的半導體裝置及材料上的挑戰，而新思科技是TCAD技術的領導廠商，與新思科技合作將可強化我們在先進研究領域的影響力。
愛美科與一流IC廠商合作研發先進CMOS微縮(scaling)技術。這項技術涉及的不只是如何縮小晶片尺寸，裝置微縮(device scaling)還需要新材料(materials)、裝置架構(device architectures)、3D整合及光學(photonics)等各式新技術的支援。愛美科與新思科技的合作特別強調FinFET與tunnel FET (TFET)在新裝置架構的開發及優化(optimization)。於12月8日至10日在舊金山所舉辦的2012年國際電子元件大會(IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM)上，愛美科發表了利用應力源(stressor)提升載子遷移率(carrier mobility)的研究論文，這對10奈米FinFET裝置的微縮相當重要。而使用新思科技的TCAD工具將有助於愛美科加速此項研究的發展。
新思科技矽晶工程事業群資深副總裁暨總經理柯復華表示：「與愛美科擴大合作有助於提升新思科技對於新世代FinFET裝置建模的TCAD模擬工具。愛美科為一以先進研發著稱的知名專業廠商，而雙方的合作將有助於強化新思的TCAD解決方案。」
工研院發表「超低電壓晶片技術」，將使未來許多電子產品的電源消耗大幅降低，甚至靠人體體溫就能發電，是一項兼顧「開源、節流」雙目標的最佳解決方案！在經濟部技術處的支持下，工研院研發之「超低電壓晶片」設計技術具備優化的能源管理效能，是一項創新的突破，未來可廣泛應用於訊號、聲音、影像壓縮等多元化晶片設計與相關產品，商機無限。
繼擴建美國德州奧斯汀晶片生產線的計劃獲得批准以後，Samsung 又迎來了一個和晶片生產有關的好消息。他們於日前正式宣佈已經成功試產首款採用 14nm 製程的 FinFET 晶片，據悉和現有產品相比該款晶片的設計（有人會把這種設計和 Intel Ivy Bridge 晶片上使用的「Tri-Gate」電晶體技術相比）可以大大改善電力和效能表現，同時其還能將漏電率控制在較低的水平。Samsung 表示這款晶片是與 ARM、Cadence、Mentor 以及 Synopsis 共同合作的成果，而對我們用戶來說自然是希望它能夠早日上市啦。
對英特爾(Intel)愛爾蘭員工來說，現在有一個好消息，就是他們可以早點回家。但壞消息是，他們能提早回家，是由於據傳該廠的進度延宕。
《愛爾蘭時報》(Irish Times)近日報導，在決定延遲推出其位在Leixlip的Fab 24廠的 P1272 14nm 製程後，英特爾日前決定讓派駐在美國進行生產培訓的600名愛爾蘭員工先調回家。
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