SanDisk於日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴建位於日本三重縣四日市的五號半導體製造工廠(Fab 5)第二期工程，並共同展開3D NAND記憶體技術的研發，為2D NAND Flash記憶體制程將於10奈米(nm)節點面臨微縮瓶頸，預做準備。
SanDisk亞太區副總裁吳家榮表示，SanDisk確實已與東芝於合資的五號半導體廠投入3D NAND記憶體技術研發，積極卡位市場先機。
SanDisk亞太區副總裁吳家榮表示，隨著智慧型手機、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態硬碟(SSD)比重不斷攀升，NAND Flash記憶體市場將持續供不應求，因而吸引各NAND Flash供應商紛紛投入擴產，以紓解供貨緊縮的問題。
吳家榮進一步指出，該公司與東芝合資的五號半導體製造工廠，即將啟動第二期擴產計劃，將持續採用最先進的19奈米製程技術，預定於2014年下半年正式投產；此外，SanDisk亦將藉由該工廠進行3D NAND技術的研發。
據了解，五號半導體製造工廠第二期擴產工程，一方面將導入19奈米製程投產2D NAND Flash記憶體；另一方面則採用BiCS(Bit Cost Scalable)技術試量產3D NAND記憶體，該技術標榜具備高性能、低成本且架構可擴充性的優勢，已於先前由東芝率先發表，而SanDisk已規畫採用該項技術，生產3D NAND快閃記憶體產品，並預計於2016年投產首款3D NAND記憶體。
針對SanDisk是否會選用3D NAND記憶體技術發展10奈米以下的製程，吳家榮說明，該公司目前無法對外說明3D NAND記憶體技術的製程規畫藍圖，但可預見的是，相較於過去每一代NAND Flash製程節點差距動輒10奈米以上，進入19奈米以後，製程微縮的節點間隔將明顯縮小。
顯而易見，2D NAND記憶體技術即將面臨發展瓶頸，而3D NAND記憶體將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑，也因此，除東芝和SanDisk之外，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND記憶體技術佈局。其中，三星預定於2014年量產3D NAND記憶體。
来源： 新电子
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