全球最大記憶芯片製造商三星電子11日表示，已開始量產採用10納米先進製程128GB的NAND快閃存儲器芯片。

三星電子表示，計劃藉生產這類芯片，強化在內部存儲器領域的優勢地位。 NAND flash芯片是應用於行動產品和固態硬碟（SSD）的非揮發性記憶芯片。

三星電子去年11月才推出採用10納米64GB的NAND flash芯片，五個月後即推出新一代芯片，代表三星在內部存儲器領域維持多元的產品陣容。三星在內建高階記憶芯片的多媒體卡和SSD的領域，已有傲人的優勢。

iSuppli預測，今年NAND flash芯片出貨量將達405億片，其中128GB的芯片將佔30%。三星在新聞稿中說：「我們將持續在適當時機發表新一代的芯片，主動回應消費者需求。」

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