爾必達內存開始下一代移動RAM產品的樣品供貨
創業環保的DRAM支持更高的性能，更低的功耗和更高的智能手機和平板設備的記憶體密度
日本東京，2011年12月28日- Elpida存儲器公司（“爾必達”，東京：6665 JP），世界第三大動態隨機存取記憶體製造商，今天宣布，它已經開始樣品出貨4千兆寬IO移動RAM TM和4千兆位DDR3移動RAM（LPDDR3）。
寬 IO Mobile RAM的是下一代移動內存芯片，反對需要更快的速度和更低的功耗提供的解決方案。近年來智能手機和平板設備的性能上升導致需求更快的DRAM（DRAM的更大的數據傳輸速率），而這反過來又產生了系統功耗的增加表示關注。
解決的辦法是，寬 IO Mobile RAM的擴展使用x512位，數據寬度為 10倍以上，比現有的DRAM的寬度，從而使一個每秒12.8 GB的數據傳輸速率（GB I / O寬度/ S），每塊芯片，而經營的200MHz的低速。約少50％，功耗減少 DRAM速度比DDR2 Mobile RAM的（LPDDR2），目前的移動設備的領先 DRAM的選擇，在相同的傳輸速率配置。
LPDDR3 Elpida的新的下一代移動內存是另一個。這種新的芯片，在實現數據傳輸速率為 LPDDR2快兩倍。一個單一 LPDDR3高端移動設備的雙芯片配置的基礎上的6.4 Gb / s或12.8GB / s的數據傳輸速率。當與 LPDDR2相比，在相同速度的基礎上，LPDDR3消耗低大約 25％，使其能夠延長智能手機和平板設備的運行時間。
現在，4個千兆寬的IO移動 RAM和4千兆位DDR3移動 RAM（LPDDR3）已開始樣品供貨。爾必達計劃在2012年開始批量生產。此外，這兩種芯片將被用於發展公司的產品線除了兩層 8千兆位和四個層 16GB的高密度封裝。
爾必達內存芯片的選擇，可以有力地支持下一代移動應用將促進寬 IO移動 RAM和DDR3移動 RAM（LPDDR3）。
4千兆寬的IO移動 RAM和4千兆位DDR3移動 RAM的主要特點
4千兆寬 IO移動 RAM
| 製造工藝 | 30nm的CMOS |
| 記憶體密度 | 4千兆位/ 8千兆/ 16千兆 |
| 數據寬度 | x512 -位 |
| 每個引腳的數據傳輸速率 | 200Mbps的（最大） |
| 電源電壓 | VDD1：1.8V，VDD2/VDDQ：1.2V |
| 工作情況下的溫度範圍內 | -25到85 ° C |
4千兆位DDR3移動 RAM
| 製造工藝 | 30nm的CMOS |
| 記憶體密度 | 4千兆位/ 8千兆/ 16千兆 |
| 包 | FBGA / POP（封裝封裝） |
| 數據寬度 | X32位/ 64位 |
| 每個引腳的數據傳輸速率 | 1600Mbps（最大） |
| 電源電壓 | VDD1：1.8V，VDD2/VDDCA/VDDQ：1.2V |
| 工作溫度範圍 | -30至85 ° C |
寬IO和LPDDR3
寬IO數據輸入/輸出（I / O）寬度的10倍以上，比常規內存芯片的寬度更大。這使得更高的性能和更低的功耗。LPDDR2（低功耗DDR2）是一個低功耗DRAM目前在智能手機和平板設備使用。LPDDR3是一個更高的標準，LPDDR2。
| 移動存儲標準 | 寬的IO | LPDDR3 | LPDDR2 |
| 數據輸入 /輸出（I / O）寬度 | 512位 | 32位 | 32位 |
| 每個引腳（I / O）的數據傳輸速率（最大） | 200Mbps的 | 1600Mbps | 為800Mbps （1066Mbps） |
| 每個設備的數據傳輸速率（最大） | 12.8GB / S | 6.4GB / S | 3.2GB /秒 （4.3GB / S） |
| 低功耗 | ✫✫✫ | ✫✫ | ✫ |
關於爾必達
爾必達記憶體公司（東京：6665）是一個動態隨機存取存儲器（DRAM）集成電路的領先製造商 。該公司的設計，製造和銷售業務，擁有世界一流的技術專長。其300mm晶圓生產設施，其廣島工廠和台灣的合資公司，瑞晶電子，利用最先進的製造技術。Elpida的組合功能，高密度，高速度，低功耗和小包裝型材等特點。該公司提供跨越廣泛的應用的DRAM解決方案，包括個人電腦，服務器，移動設備和數字消費電子產品 。
留言列表
生技醫療產業 (1)