外電報導指出，全球最大存儲器公司三星電子(Samsung)於美東時間21日晚間10點整髮布新聞稿宣布，最新位於韓國京畿道華城市的NAND型快閃存儲器(NAND Flash)廠房「Line-16 」已開始運作。三星同時還宣布量產業界首款採用20納米製程技術的DDR3 DRAM，這款DRAM可大幅提升系統效能並降低耗電量。
“全球半導體產業在激烈的週期性波動的時期，所以在這個新的內存晶圓廠開放和大規模生產的世界第一20nm的，一流的DRAM開始的重要里程碑，進一步加強三星的行業領導，”說，三星電子董事長李健熙，為工廠的開幕儀式，根據三星發表聲明。該公司說，儀式是由約 500人出席，其中包括其他高層三星高管。
全球最大存儲器芯片製造商三星電子公司宣布，斥資104億美元位於首爾南部的華城打造的新芯片生產線已開始量產，佔地相當28座足球場，預計2012年底產能全開。希望在行動裝置需求強勁之際，擴大快閃存儲器市佔。
新生產線具備業界最大、最先進的存儲器生產設備，採用20納米製程，主要生產廣泛用於智能手機與平板計算機等行動裝置的NAND快閃存儲器芯片。
這是三星近五年來第一個新生產線，有助於三星大幅降低芯片生產成本，也可能加速市場供過於求，讓小型競爭者難以生存。
2010年5月開始晶圓廠的建設和一年後完成安裝。三星表示，6月開始在試生產和設施是在8月批量生產業務。該公司表示，從這個月開始，三星開始大規模生產，高性能的20納米 NAND初步月產能約達1萬片12寸晶圓。
三星電子明年的資本支出將超過10兆韓元（83億美元）。
三星表示，它計劃提高NAND閃存的產量，以滿足市場需求。該公司表示，計劃明年採用 10納米級工藝技術與高密度和性能更先進的內存芯片生產開始。
三星表示，進入量產的新生產線是業界最大、最先進的記憶體廠，採用20奈米製程，主要產品為NAND快閃記憶體。三星表示，新廠已在本月初開始生產，初步月產能約達1萬片12寸晶圓，未來將進一步提高產能，在產能全開時，預料每個月可生產20萬片12寸晶圓。智慧型手機、平板電腦等行動產品的需求，新廠加入將有助三星搶占先機，並大幅降低生產成本。
三星是全球最積極投資的記憶體大廠，其新廠進入量產，恐使市場供過於求的情況更加惡化，並將扼殺規模較小的競爭對手。
由於PC廠商的需求降低導致存儲芯片價格過去三個月的降幅超過30%，甚至低於生產成本。由於平板電腦和智能手機受到消費者熱捧，因此今年全球PC出貨量只能實現不足5%的增長。
三星在存儲芯片廠商的競爭對手包括海力士、爾必達和力晶科技。
由於利潤率持續惡化，加之前景疲軟，導致規模較小的競爭對手推遲了需要耗費大量資本的生產設施升級計劃。爾必達上週表示，考慮將部分產能轉移到中國台灣，藉此規避日元升值，並在疲軟的市場中求生存。
這條消息解讀起來還真的是有點故事。簡單講，三星電子有一條新的半導體生產線竣工投產，官方將其定義為全球最大規模，最先進的半導體生產線，主要產品為 20 奈米級 NAND 快閃記憶體，同時基於此，三星將實現 20 奈米級 DDR3 記憶體的量產，同時生產效率將提升，能量消耗會降低。實際上，在三星和蘋果交惡之後，蘋果開始轉移一部分 DRAM 和 NAND 快閃記憶體訂單到日本，比如東芝和爾必達（Elpida Memory），三星在這個時刻放出這條消息，顯然是為了告訴業界，其還是 NAND 快閃記憶體製造界的老大。按照這個技術規格來講的話，明年會有 20nm 工藝最大單條 32GB 記憶體出現，好大啊.....
Samsung fires up world's biggest memory fab
SAN FRANCISCO—South Korea's Samsung Electronics Co. Ltd. said Wednesday (Sept. 21) it has commenced production at its new Line-16 NAND flash memory chip fab at the company's Nano City Complex in South Korea's Gyeonggi province.
Samsung (Seoul) said it commenced mass production of the semiconductor industry's first DDR3 (double data rate 3) DRAM based on 20-nm class production technology. The 20-nm DDR3 DRAMs will be produced at a separate Samsung fab.
"The global semiconductor industry is in a period of fierce cyclical volatility, so the opening of this new memory fab and the start of mass production of the world's first 20nm-class DRAM are important milestones to reinforce Samsung's industry leadership," said Samsung Electronics Chairman Kun-hee Lee, in an opening ceremony for the fab, according to a statement issued by Samsung. The ceremony was attended by about 500 people, including other high-ranking Samsung executives, the company said.
Samsung said it has invested 12 trillion Korean won (about 104億美元) in Line-16. The company said it began construction of the fab in May 2010 and completed installing one year later. Trial production began in June and the facility was made operational for mass production in August, Samsung said. Starting this month, Samsung began mass production of high-performance 20-nm-class NAND, with a projected volume of more than 10,000 300-mm wafers per month, the company said.
Samsung said it plans to ramp up production of NAND to meet market demand. The company said it plans to begin production of more advanced memory chips with high density and performance using 10-nm-class process technology next year.
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