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GLOBALFOUNDRIES與三星電子擴展了兩家公司間的合作，宣佈將把兩家公司於全球製造晶片的半導體廠，用新的高效能與低漏電28nm高介電金屬閘極(HKMG)技術進行生產。這種技術是特別為流動裝置應用所開發的，在相同的頻率減省60 %的有效電力 (active power reduction) ，或是在45nm低耗系統單晶片(SoC)設計上同樣漏電情況下提升55% 的功效。

2010年，格羅方德半導體與三星宣佈了與IBM以及意法半導體(STMicroelectronics) 合作，使用低耗能28nm HKMG 技術將晶圓廠作業同步化。這種低耗能技術完全符合標準元件庫 (standard cell libraries)、記憶體編譯器( memory compilers)、與額外的複雜IP區塊的設計需求。今天所宣佈的高效能與上述的低耗能技術互補，延伸高效能智慧型手機、平板電腦、與一般筆電的作業頻率，並保留超低漏電電晶體與記憶體以促成在外行動時所需的長電池壽命。

這兩家公司正藉由與若干顧客合作，為這種低耗能與高功效28nm HKMG 技術進行製程與工具(tooling)的最佳化，俾能提供同步平台的協同價值。這項同步程序有助於確保全世界生產的一致性、讓顧客的晶片於多重的源頭生產而不須重新設計、以及利用顧客的設計投資。

就同步的本質而言，協同作業提供了一個虛擬晶圓廠來取得這兩家公司四處不同晶圓廠的製造能力。這兩家公司各有兩個將符合新技術的300mm晶圓廠：格羅方德半導體的 Fab 1在德國的德勒斯登(Dresden)以及 Fab 8在美國紐約州的薩拉托加郡(Saratoga County)，而三星的 S1 在韓國京畿道器興(Giheung)，以及最近在美國德州奧斯汀(Austin)擴廠的 S2。這四個晶圓廠所代表的全球版圖估計是晶圓代工業中尖端產能最大的，並藉由密切的協同與消除供應鍊不確定性風險的無與倫比能力來為顧客服務。

三星電子裝置解決方案(Device Solutions)的 System LSI 晶圓代工行銷副總裁Jay Min 說：「我們很高興能藉由這項獨特的合作，把智慧型、創新的晶圓代工 解決方案提供給我們的顧客。這個 28nm製程將是能夠真正消除桌上型電腦與行動裝置之間界線的首項半導體技術。」

GLOBALFOUNDRIES的全球業務與行銷資深副總裁Jim Kupec說：「這項新的合作將使業界最強勁的製造合資企業之一更為強勁，並提供另一個平台給顧客來推動流動通訊技術的創新。使這項新技術的顧客能更快速的開始量產並確保供給無虞，而且能夠利用到晶圓代工業於2011年上半年首度以32奈米 HKMG 技術開始大量生產的重大成果。」

這種新的高效能製程的基礎是來自於2010年所宣佈的供低耗能製程所使用的28nm閘極優先(Gate First) HKMG技術。由於當今的低耗能 28nm技術完全符合設計的需求，所以有一種完備的系統單晶片 (SoC) 設計平台將被導入這種高功效技術來促成全球多個製造廠流暢的客製化設計(customer design-in)。