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透射電子顯微鏡照片顯示，在42納米工藝，核心/邊緣地區的相變存儲單元的橫截面。

儘管許多專家都表達了對快閃記憶體的規模能力的懷疑，並表示了另一種非揮發性記憶體技術的需要，海力士剛剛付諸實行，並產生了15納米 NAND閃存單元的計劃揭幕今年的國際電子器件會議（IEDM）。

然而，在同一個會議，是因為海力士報告 84納米間距為 1千兆相變存儲器及以後生產的記憶過程。由於記憶的過程通常是表示由半間距的實際上是一個 42納米工藝。

IEDM是由於發生在12月5日華盛頓 7和海力士似乎將成為會議的明星，至少在內存方面。雖然最終方案尚未公佈，主辦單位已傾斜的亮點都在NAND閃存和PCRAM研究論文，海力士是由於存在。在PCM的明星地位的情況下，這是否只是結果從三星和Micron喜歡縮減研究的完整的程序和時間的豐滿釋放等待。

去年的IEDM上看到了由英特爾與美光的世界上第一個內置 NAND採用 25納米設計規則，引入了一個空氣間隙，以減少字線，以字線電容不尋常的技術存儲技術揭幕。

今年，海力士半導體公司的研究人員已經證明了在中間幾何介於 10個 NAND快閃記憶體細胞 - 和19納米。在這個小型化水平就變得難以衡量的幾何形狀和可變性高。據主辦方中期1X納米 NAND閃存具有“卓越的電氣特性和可靠性”和存儲器包括一個字線氣隙。是什麼尚不清楚，並有望在文件中包含的是耐力循環性能。由於幾何形狀減少有一個 NAND快閃記憶體的趨勢，顯示顯著低於 10 ^ 6個經常高於 100納米的幾何形狀指定的週期降低耐力。

海力士也因目前的一個相變隨機存取記憶體加一個 1千兆PCRAM的過程中實現的工藝技術。這項技術被認為是高度可擴展和低成本，並用於單片集成了1千兆PCRAM有4F2 84納米的間距存儲單元佔地 0.007平方微米。

令人驚訝的內存技術，據說在200攝氏度以上這些強大的熱穩定性已經證明，在過去的相變存儲器困難氣溫 10年的數據保留，但對於多層細胞堆疊架構的關鍵。