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集微網消息，對半導體製造商和設備供應商來說，智能手機和PC市場飽和，無法帶動業績成長，以往生產功能更強芯片的傳統做法，預料也難扭轉頹勢，如今業界採用新技術，像是全耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）和3D NAND。

華爾街日報報導，半導體業面臨的業績壓力已經引發整併風潮，最新數據也指出，今年全球半導體設備廠商營收恐怕僅成長1%至369.4億美元，而芯片營收可能下滑2.4%，利空就是智能手機的成長趨緩，PC市場也正在萎縮。半導體業都在問：下一個成長機會在哪裡？

如今有許多業者陸續採用新材料與新生產技術來因應市場變化，這些業者看好聯網設備需求，但物聯網的芯片需求不一樣，要求芯片成本控制在1美元以下，並且可運行數年，不需換電池。

GlobalFoundries與三星電子已經採用稱為FD-SOI的技術，這項技術在耗電與成本上具有優勢，仰賴法國廠商Soitec特別量身訂製的半導體晶圓。

Soitec CEO布德爾說，日本科技大廠Sony近來設計的智能手機GPS芯片便使用FD-SOI技術，結果芯片耗電量只有原本的十分之一，讓用戶可以更頻繁使用衛星定位技術，不必擔心會吃掉手機太多電力。

有些公司也開始在不生產更小電晶體的情況下，進一步挖掘芯片的潛能，NAND快閃存儲器廠商已經以3D NAND的方式，透過堆疊多層電路來提升效能。這項技術需要採購許多生產設備，因此令許多廠商受惠，應用材料便是其中之一。

有關FD-SOI

全耗盡型絕緣上覆矽（Fully Depleted Silicon-on-Insular，FD-SOI）是FinFET與Tri-Gate的互補技術，被視為是可望在物聯網與汽車市場取代FinFET的理想替代方案，其特色為功耗低、性能和成本效益較佳。目前支持FD-SOI的晶圓代工廠包括格羅方德以及三星電子。