真乄科技業的頂尖投資團隊

英飛凌以創新技術推出最新一代高壓 CoolMOS MOSFET，為能源效率設下全新標準。英飛凌於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2011（5 月 17 至 19 日）展覽中展示新型的 650V CoolMOS CFD2，這是業界首見具備 650V 漏源電壓與整合式快速回復特性等效二極體的高壓電晶體。新型 CFD2 裝置延續之前的 600V CFD 產品的優點，不僅提升能源效率，也具備更為出色的軟性換流特性，因此能減少電磁干擾（EMI），提供產品明確的競爭優勢。
650V CoolMOS CFD2 技術結合了快速切換超接面 (Superjunction) MOSFET 的優點，例如更出色的輕負載效率、降低閘端電荷、易於建置，以及卓越的可靠性。 此外，本技術也提供更低的區域特定導通電阻，減少電容切換損耗，同時還可簡易控制切換運作，以及市面上最耐用的本體二極體。 新型 CoolMOS™ CFD2 技術的系統成本也低於之前的 600V CFD，整體上可說是諧振切換拓樸的最佳選擇。

英飛凌預期 650V CoolMOS CFD2 在太陽能逆變器、伺服器、照明和電信開關式電源供應器 (SMPS) 等方面具備最出色的市場潛力。

英飛凌高壓 MOS 產品線經理 Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飛凌以革命性的 CoolMOS™ 技術，成為能源效率和功率密度的市場領導者。 650V CFD2 技術讓 CoolMOS™ 產品系列更為完備，並設立各項全新標準，例如將太陽能逆變器的效率提升至 98.1%。」