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（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款高整合度晶片。全新的STW82100B系列讓無線基礎通訊設備製造商能夠以更低的成本滿足市場對具更高靈活性及小尺寸的下一代行動網路基地台的需求。除了無線基地台外，新産品還能用於其它設備，包括射頻（RF）儀器和一般無線基礎通訊應用。

在行動通訊産業內，消費者對寬頻網路服務的需求以高速度成長。行動網路營運業者正加快腳步推出具更快傳輸數據速率（14.4Mbit/s或更高，HSPA/HSPA+）的網路服務。市場對具更高速度的下一代無線通訊標準3GPP-LTE 的投資也持續提高。根據市調機構Infonetics Research的最新報告顯示，截至2014年底，長期演進技術（Long Term Evolution，LTE）基礎設施的市場規模將超過110億美元。

意法半導體全新的STW82100B系列符合設備廠商對高性能和低成本的要求，在單一晶片上整合了射頻合成器和下變頻器（down-converter）等重要的基地台功能，經市場驗證，這款IC適合用於新的行動通訊標準，如LTE。採用意法半導體的高品質BiCMOS製程，這款IC擁有先進的整合度，並能滿足設備廠商全部的重要性能需求。意法半導體這款以先進製程製造的晶片已獲主要基地台廠商廣泛採用。

意法半導體網路和儲存産品部行銷總監Flavio Benetti表示：「STW82100B系列産品不但證明了矽鍺（SiGe）晶片可有效解決RF應用的設計問題，並再次顯示意法半導體獨有的BiCMOS技術的無限潛力。意法半導體採用BiCMOS製程的産品成功打入各個通訊領域，例如在光纖通訊應用，意法半導體還提供速度高達230GHz FT / 280GHz FMAX的高速電晶體。」

STW82100B系列（STW82100B、STW82101B、STW82102B及STW82103B）以意法半導體經市場驗證並被全球基地台及其它無線應用廣泛採用的射頻合成器IC（STW81102系列）為基礎。該産品可支援不同的工作模式，爲設計人員帶來很高的靈活性。在接收器端，該晶片可爲每個天線通道提供一個專用的本地震盪（Local Oscillator ，LO）頻率產生器，或可用於較傳統的天線分集系統。在發送器迴圈電路內，其優異的增益平坦度（gain flatness）和內建的10位元數位類比轉換器（DAC）讓設計人員在驅動外部PIN二極體時可實現最佳的訊號校準。

STW82100B的主要特性：

0. 高輸入線性
0. 8dB轉換增益（conversion gain）
0. 10.5dB雜訊指數（noise figure）
0. 有效避免干擾及假性訊號

STW82100B現已量産，採用7 x 7mm VQFPN 封裝，意法半導體並將於近期內推出應用評估套件。