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瑞晶（4932）昨天宣布，已成功試產出使用爾必達（916665）開發30奈米製程的2Gb DDR3 DRAM晶片，良率符合預期，是國內第1家進入30奈米世代的DRAM廠，將加速進行製程轉換，預計於下半年全面導入量產，年底完成8.5萬片轉換。
瑞晶表示，此次試產成功之2Gb DDR3 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）產品，係使用爾必達所開發，低耗電、高效能之全新30奈米製程技術，每片晶圓產出晶粒量比40奈米製程多出45%，可有效降低生產成本。

有效降低生產成本

瑞晶總經理陳正坤指出，此次試產不論品質、良率均相當令人滿意，將依循此超前進度表現，繼續加速進行製程轉換，希望能在今年下半年，將月產能8.5萬片的全產線，百分之百轉換完成；此外，也將生產4Gb DDR3 DRAM，以滿足高階產品的需求。
爾必達社長坂本幸雄表示，新的2Gb DDR3 DRAM不但是2011年主流產品，更特別適用於消費性電子產品，希望這項傑出產品可以早日量產。
目前爾必達已經將標準型DRAM製造重心放在瑞晶，特別是日本地震後，瑞晶更是加緊轉換30奈米的準備工作，就是要在上游矽晶圓有缺料危機下，以更新製程生產，在不增加設備下，提高生產量，以因應客戶的需求。