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富士通(Fujitsu)宣佈推出最高密度4Mbit ReRAM(可變電阻式記憶體)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體合作開發之首款ReRAM產品。

MB85AS4MT為SPI介面的ReRAM產品，能在1.65至3.6伏特電壓下運作，並於最高時脈5MHz的讀取操作下僅需0.2mA的平均消耗電流。此全新產品適用於需要電池供電之穿戴式及醫療裝置，例如助聽器等需要高記憶體密度且低功耗的電子裝置。

截至目前為止，富士通藉由提供具有耐讀寫以及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機存取記憶體)，以滿足客戶對遠高於EEPROM以及串列式Flash等傳統非揮發式記憶體的效能需求。在將新款4Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線後，富士通如今可進一步擴充產品選項，以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛範圍內作業，還能透過SPI介面支援最高5 MHz的運作時脈，並在讀取時僅需極低的作業電流(5MHz時脈下平均僅消耗0.2mA)。此外，此產品擁有業界非揮發性記憶體最低的讀取功耗。

此全新產品採用209mil 8-pin的SOP封裝，腳位與EEPROM等非揮發性記憶體產品相容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入一個4 Mbit的記憶體，以超越串列介面EEPROM的最高密度。

富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式裝置、助聽器等醫療裝置，以及量表與感測器等物聯網裝置。

Source:EETimes