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韓國SK海力士與東芝試制出了4Gbit STT-MRAM，並在“IEDM 2016”上進行了發布（論文序號：27.1）。因為是Gbit級的大容量MRAM，關注度非常高，很多聽眾來到發布會場，甚至還有人站著聽講。

試制的STT-MRAM由8個512Mbit的存儲體構成。單元面積僅為9F2（F為設計規則），與8F2左右的DRAM相當。SK海力士的演講人表示，普通STT-MRAM為50F2。通過縮小單元面積實現高密度化，將MTJ元件的間隔縮減到了90nm。Vdd為1.1～1.7V，寫入脈衝寬度為30ns左右。

在演講的最後，兩公司還公開了1cm見方的4Gbit STT-MRAM芯片的照片。據介紹，利用該芯片讀寫時出現的錯誤bit，訂正錯誤後僅為數bit。

另外，還公開了利用FPGA讀取保存於該芯片的24bit BPM格式圖像的結果，表明在動作方面不存在問題。另外，如果實施ECC，圖像會更加清晰。關於具體詳情，將在2017年2月舉辦的ISSCC 2017上發布。關於實用化時間，發佈人回答稱“希望用2、3年的時間推出實用產品”。（記者：根津禎）