全球大容量3D NAND Flash不再是由韓廠三星電子(Samsung Electronics)獨家量產,隨著美、日系存儲器大廠紛投入量產,未來3D NAND Flash可望成為儲存裝置主流,快速應用在智能型手機與PC等產品上,儘管目前3D NAND Flash價格仍偏高,然隨著眾廠火力全開、擴大市場,後續價格將快速下滑,且主流USB隨身碟與記憶卡容量亦將再度增大。

3D NAND Flash係將電路多層堆疊以增加單位面積內電路密度,較2D NAND Flash擁有更高的速度與穩定度,最早係由日廠東芝(Toshiba)展出相關技術,但卻是由三星率先量產,並在高階智能型手機Galaxy S7首度搭載3D NAND Flash技術芯片。

2016年起包括美系大廠美光(Micron)、韓廠SK海力士(SK Hynix)及日廠東芝,均宣布量產3D NAND Flash。東芝在日本三重縣四日市增建3D NAND Flash工廠;SK海力士位於韓國清州M12廠將轉成生產3D NAND Flash廠房,利川新廠房M14亦將量產3D NAND Flash;美光新加坡10X工廠將轉為3D NAND Flash廠房;英特爾(Intel)大陸大連廠也將轉成3D NAND Flash工廠。

目前3D NAND Flash主流產品容量是256Gb,單價約10美元,相較於傳統2D NAND Flash容量128Gb產品單價僅4~5美元,3D NAND Flash單位容量價格依然偏高,不過,隨著市場上大容量芯片貨源快速增加,削價競爭戰火一觸即發,一旦3D NAND Flash產品良率與容量有效拉升,將快速取代傳統2D NAND Flash市場。

由於3D NAND Flash可製成容量更大的存儲器裝置,廠商紛預期3D NAND Flash大量投入市場後,USB隨身碟與記憶卡主流容量將從128GB增到512GB以上,且大容量固態硬碟(SSD)亦將快速增加,且在3D NAND Flash大幅降價之際,既有USB隨身碟、記憶卡與SSD恐將先降價。 

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