中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程,目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片,初期規劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品,代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下,將開始進入新的里程碑。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得指出,現階段武漢新芯主要以生產NOR Flash為主,月產能約為2萬片左右,在NAND Flash產業也展現強大的企圖心。

不同於國際NAND Flash大廠,武漢新芯選擇與飛索半導體共同合作開發3D-NAND Flash技術,並在去年完成初期晶片電氣測試後,持續往更高的堆疊數邁進,目標2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的產品來切入高成長性的閃存存儲產業,也透過盡早導入新技術的方式,縮短與現今國際NAND Flash大廠的差距。武漢新芯規劃的新廠產能爲長期20萬片,產能的提升必需要伴隨未來技術開發的成熟,生產的穩定。 20萬片爲長期的最終計劃,非短期能達成,比較明顯的產出提升應該在5~10年之後。

國際NAND Flash大廠加速在中國佈局生產製造

楊文得表示,英特爾大連廠自今年第四季加入生產行列的帶動下,來自中國生產的NAND Flash晶圓將占全球的8%,2017年第三季前可超過10%,顯示中國發展NAND Flash產業的積極度也讓國際大廠加速佈局角度。

目前NAND Flash產業除三星量產3D-NAND Flash,且已在各大PC-OEMs業者中獲得不錯的市占率,第三代3D-NAND Flash也將完成產品測試階段,可望在2016下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開始量產。

其他NAND Flash業者也陸續加速3D-NAND Flash的開發,自今年下半年將可開始導入相關固態硬碟的需求應用而出貨。DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產業的3D-NAND Flash產出比重將可快速攀升至20%,較去年的6%有顯著成長,將可讓相關固態硬碟的普及與滲透率成長更加快速。

中國把半導體產業作為命脈來抓,國內最大也是最先進的存儲芯片廠即將在武漢開工,總計耗資240億美元,預計在2017年到2018年開始生產,而且中國國產存儲芯片會跳過2D NAND閃存直接進入3D NAND閃存時代,起點可不低。不過在3D NAND市場上,四大豪門已經積累太多優勢了,其中三星一家的3D NAND產能就占到了40%,國產NAND閃存要想打開市場,面臨的難度可想而知。

  集邦科技公佈的全球主要的閃存芯片供應商報告中,三星2015年的NAND產能約為484.5萬片晶圓,主流工藝是16nm。在3D NAND閃存上,三星是全球量產最早的供應商,2013年就量產V-NAND閃存了,當時還是32層堆棧的(第一代24層堆棧的沒有規模量產),之後三星又推出了48層堆棧的第三代V-NAND閃存,並與去年底開始量產。

  三星在中國西安投資70億美元建設新一代晶圓廠,主產的就是3D NAND閃存,在如此龐大的投資下,三星西安工廠去年1-8個產值就達到了115億元。根據集邦科技的分析,三星在2016年有可能占到全球3D NAND閃存市場的40.8%份額,絕對是一家獨大。


SK Hynix去年的產能約為249萬片晶圓,主流工藝也是16nm,他們的3D NAND閃存芯片要在今年Q1季度才能量產,主要36層堆棧的MLC及48層堆棧的TLC閃存,3D NAND閃存市場份額預計為3.3%。
東芝/閃迪去年的產能約為588萬片晶圓,主流工藝是15nm,不過3D NAND閃存也是要到今年Q1季度量產,主要是48層堆棧的MLC/TLC閃存,今年預計份額為5.4% 。


  美光/Intel合資的IMFT公司去年產能219.5萬片晶圓,主流工藝為16nm,去年Q4季度開始量產32層堆棧的MLC/TLC閃存,預計今年的份額為17.6%。
此外,Intel雖然與美光合資生產閃存,但去年已經決定把中國大連的Fab 65工廠從芯片組生產轉向閃存製造,總計投資55億美元,分析認為投產的產品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint閃存。


  隨著三星、Intel等國際公司擴大中國晶圓廠的3D NAND閃存產能,中國大陸所佔的3D NAND產能有可能從目前的8%提高到2017年的超過10%。
另一方面,中國本土自建的國產NAND工廠本月底正式動工,預計2017年到2018年正式建成投產,由武漢新芯科技公司負責運營,而且所生產的芯片直接進入3D NAND閃存時代,技術來源是飛索半導體,但不確定他們的3D NAND閃存具體是什麼工藝,技術水平與三星、Intel相比如何。


國產存儲芯片晶圓廠的產能目標是每月20萬片晶圓,算起來一年就是240萬片了,差不多達到了SK Hynix現在的水平,不過月產20萬片晶圓的目標不是一蹴而就的,一座晶圓廠通常的月產能不過是數万片,所以20萬片的月產能需要多年的產能建設才有可能。


  剩下的問題就是國產閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價格戰是不可避免的,但長久來看還得是技術立足。


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